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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-11-20 13:45 マルコフ連鎖モデルによる半導体素子劣化・寿命予測 ○桃田 快・遠藤幸一・御堂義博・三浦克介・中前幸治（阪大）  R2014-61 |
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| 抄録 | （和） | 個別の半導体デバイスの使用経過時間中の特性がモニターできる仮定の下で，得られた特性からデバイスの劣化・寿命を予測する手法について検討している．MOSFET のゲートリーク電流を測定し，マルコフ連鎖モデルにより劣化・寿命予測を行う．ゲートリーク電流に応じてMOSFET の劣化状態を離散的な状態(クラス) で表現し，状態間の遷移確率をMOSFET 測定データから求める．実験では，実デバイス測定データの代わりに，パーコレーションモデルに基づくシミュレーションにより，ゲートリーク電流の時間変化を求めている．1000 デバイスのシミュレーションデータを用い，劣化・寿命を予測する実験を行っている．デバイス使用途中でのゲートリーク電流観測値を用いて提案手法により予測を行うことで，システムの寿命を延ばすことが可能であることを示す． |
| （英） | We study on a method to predict performance degradation and lifetime of semiconductor devices under the assumption that the device characteristics can be monitored periodically. By using the Markov chain model, degradation and lifetime of the MOSFET are predicted based on measured values of gate leakage current. MOSFET degradation states are classi ed into discrete states or classes according to its gate leakage current. State transition probabilities are obtained from measured gate leakage current data. In our study, gate leakage current data are obtained by simulation based on the percolation model instead of actual device measurement. Experiments to predict degradation and lifetime of MOSFETs are carried out. In the experiments, gate leakage current data obtained by simulating 1000 devices are used. The experimental results show that device monitoring can enable us to elongate lifetime of system. | |
| キーワード | （和） | 故障の確率モデル / 寿命データ解析 / マルコフ連鎖モデル / 劣化予測 / 寿命予測 / ゲートリーク電流 / / |
| （英） | Time-to-failure modeling / Time-to-failure statistics / Markov chain model / degradation prediction / lifetime prediction / gate leakage current / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 314, R2014-61, pp. 1-5, 2014年11月. | |
| 資料番号 | R2014-61 | |
| 発行日 | 2014-11-13 (R) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2014-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
| 開催期間 | 2014-11-20 - 2014-11-20 |
| 開催地（和） | 大阪中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体と電子デバイスの信頼性，信頼性一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | R |
| 会議コード | 2014-11-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マルコフ連鎖モデルによる半導体素子劣化・寿命予測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Prediction of performance degradation and lifetime for semiconductor devices using markov chain model |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 故障の確率モデル / Time-to-failure modeling |
| キーワード(2)（和/英） | 寿命データ解析 / Time-to-failure statistics |
| キーワード(3)（和/英） | マルコフ連鎖モデル / Markov chain model |
| キーワード(4)（和/英） | 劣化予測 / degradation prediction |
| キーワード(5)（和/英） | 寿命予測 / lifetime prediction |
| キーワード(6)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桃田 快 / Kai Momoda / モモダ カイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 幸一 / Koichi Endo / エンドウ コウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 御堂 義博 / Yoshihiro Midoh / ミドウ ヨシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 克介 / Katsuyoshi Miura / ミウラ カツヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中前 幸治 / Koji Nakamae / ナカマエ コウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-20 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | R |
| 資料番号 | R2014-61 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.314 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-11-13 (R) |
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