講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-26 11:35
65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価 ○曽根崎詠二・張 魁元・古田 潤・小林和淑(京都工繊大) VLD2014-84 DC2014-38 |
抄録 |
(和) |
近年、プロセスの微細化や高集積化により消費電力の増加が問題になっている。
低消費電力の実現には、低電圧化が最も効果的であるが、同時に信頼性の低下を
引き起こす。本稿では、デバイスシミュレーションを用いてソフトエラーの原因
の一つである放射線起因一過性パルス (Single Event Transient) のパルス幅の
電圧依存性をについて評価した。 |
(英) |
Recently, the growth of power consumption has been serious by process
scaling. The lower voltage is most effective to implement reduced energy
consumption. But, the lower voltage causes a decrease in reliability.In
this study, we evaluate voltage dependence of SET (Single Event
Transien) pulses by device simulation. |
キーワード |
(和) |
ソフトエラー / SOTB / SET / 65nmプロセス / デバイスシミュレーション / / / |
(英) |
Softerror / SOTB / SET / 65nmprocess / Device simulation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 328, VLD2014-84, pp. 93-97, 2014年11月. |
資料番号 |
VLD2014-84 |
発行日 |
2014-11-19 (VLD, DC) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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