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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-11-27 13:15 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性 ○栗原 香・長尾 哲（三菱化学）・山口敦史（金沢工大）  ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105 |
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| 抄録 | （和） | m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波長から長波化すると光出力が急激に低下するという問題があった.また、同じ波長域で発光スペクトルがダブルピーク化することに着目し,その原因を調査したが,偏光分離PL測定からは価電子帯分離起因とは考えにくいことが分かった.ダブルピークの真の原因は現状不明であるが,長波側の発光成分を抑制してシングルピーク化することで,発光効率が向上する. |
| （英） | We have investigated the optical characteristics of InGaN QWs on m-plane GaN substrates in order to understand the reasons behind the emission intensity dependence on the wavelength and the irregular emission spectrum shape. The emission intensity from m-plane InGaN-QWs decreases and the emission spectra show the overlapping characteristics when the wavelength is longer than 410 nm. InGaN-QW structures were grown on the self-standing m-plane GaN substrates by MOCVD and inspected using polarized PL measurements. However valence band split in the band structure was not to be related to the overlapping spectrum. By suppression of the spectrum which have lower energy, light output efficiency increases and wavelength shift was eliminated. | |
| キーワード | （和） | InGaN / m面 / 非極性 / 偏光 / 価電子帯分裂 / / / |
| （英） | InGaN / m-plane / nonpolar / polarization / valence band splitting / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-105, pp. 19-22, 2014年11月. | |
| 資料番号 | LQE2014-105 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emission characteristics of InGaN-MQW structures on m-plane GaN substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | m面 / m-plane |
| キーワード(3)（和/英） | 非極性 / nonpolar |
| キーワード(4)（和/英） | 偏光 / polarization |
| キーワード(5)（和/英） | 価電子帯分裂 / valence band splitting |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 栗原 香 / Kaori Kurihara / クリハラ カオリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱化学株式会社 (略称： 三菱化学) Mitsubishi Chemical corporation (略称： Mitsubishi Chemical) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 哲 / Satoru Nagao / ナガオ サトル |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱化学株式会社 (略称： 三菱化学) Mitsubishi Chemical corporation (略称： Mitsubishi Chemical) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi Yamaguchi / |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-27 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2014-77, CPM2014-134, LQE2014-105 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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