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| 講演名 | 2014-11-27 11:00 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 ○尾崎拓也・船戸 充・川上養一（京大）  ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 |
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| 抄録 | （和） | ScAlMgO4 (SCAM)基板上のGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長に関して述べる．SCAMは斜方晶の結晶で，六回対称性を持つ(0001)面をGaN系半導体の結晶成長に利用する場合，GaNとの格子不整合は1.8%であり，In組成17%のInGaNと格子整合する．このことから，格子整合InGaN/SCAMテンプレート上に高In組成InGaN/InGaNヘテロ構造を作製することが原理的には可能であり，長波長光デバイスへの展開が期待される．本稿では，SCAM基板上GaNがサファイア上GaNと同等以上の特性を持ち，さらに格子整合した無歪InGaNが有機金属気相成長できることを実験的に示した結果を報告する． |
| （英） | Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaN-based materials on ScAlMgO4 (SCAM) substrates is demonstrated. SCAM has a rhombohedral structure with a six-fold symmetric (0001) plane. When nitride semiconductors are grown on the SCAM (0001) plane, GaN experiences a lattice mismatch as small as 1.8%, while InGaN with an In composition of 17% realizes the lattice matching. Therefore, a novel template of lattice-matched InGaN/SCAM is available for InGaN/InGaN heterostructures with higher In compositions, which will pave the way toward longer-wavelength optical devices. In this paper, we experimentally demonstrate that GaN on SCAM has qualities comparable to or even better than those of conventional GaN on sapphire, and unstrained, lattice-matched InGaN can be grown on SCAM by MOVPE. | |
| キーワード | （和） | ScAlMgO4 / 窒化物半導体 / 格子整合 / 有機金属気相成長 / / / / |
| （英） | ScAlMgO4 / nitride semiconductor / lattice matching / metalorganic vapor phase epitaxy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-102, pp. 5-8, 2014年11月. | |
| 資料番号 | LQE2014-102 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of GaN-based nitride semiconductors on lattice-matched ScAlMgO4 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ScAlMgO4 / ScAlMgO4 |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 格子整合 / lattice matching |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長 / metalorganic vapor phase epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 拓也 / Takuya Ozaki / オザキ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-27 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2014-74, CPM2014-131, LQE2014-102 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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