講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-28 15:35
微小光共振器によるEu添加GaNのEu発光強度増大 ○稲葉智宏・若松龍太・李 東建・児島貴徳・小泉 淳・藤原康文(阪大) ED2014-95 CPM2014-152 LQE2014-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-95 CPM2014-152 LQE2014-123 |
抄録 |
(和) |
我々はGaN系赤色発光ダイオード実現に向けてEu添加GaNの発光強度増大を目指した研究を行っている。本研究では、Eu発光遷移確率増大によるフォトルミネッセンス強度増大を目的として、Agと分布帰還型反射器(DBR)により作製した微小共振器中にEu添加GaNを作製した。微小光共振器を有するEu添加GaNは単層のEu添加GaNと比較して、Eu発光遷移確率が1.3倍、E u発光強度が18.4倍となることを明らかにした。 |
(英) |
Enhancement of Eu-related luminescence intensity in Eu,O-codoped GaN (GaN:Eu,O) was demonstrated by embedding a GaN:Eu,O layer in a microcavity with an AlGaN/GaN distributed Bragg reflector (DBR) and a Ag reflecting mirror. The enhancement of radiative transition probability was 1.3-fold in the microcavity and the PL intensity was 18.4 times larger than that without the microcavity. |
キーワード |
(和) |
Eu添加GaN / 微小共振器 / OMVPE / PL / 表面プラズモン / / / |
(英) |
Eu-doped GaN / microcavity / OMVPE / PL / surface plasmon / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-123, pp. 107-110, 2014年11月. |
資料番号 |
LQE2014-123 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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