講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-28 16:00
GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政(三重大)・宮川鈴衣奈・江龍 修(名工大)・橋詰 保(北大) ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 |
抄録 |
(和) |
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立基板に対して800 oCから1100 oCまで温度を変化させてサーマルクリーニングを行い,表面状態の変化を明らかにした.(0001)面において,表面の研磨傷はサーマルクリーニングの温度上昇に伴って減少し,1000 oCにおいて研磨傷が消失しステップ構造を有する表面が得られた.しかし1100 oCでは表面の脱離が生じ大きな表面荒れを生じた.一方,非極性面については面方位によってサーマルクリーニング後の表面状態は大きく異なり,(20-21)面では温度上昇に伴い表面平坦性が大きく悪化した. |
(英) |
Thermal cleaning at high temperature from 800 oC to 1100 oC of free-standing polar (0001) plane and non-polar (10-10) (20-21) (20-2-1) plane GaN substrates was demonstrated, and the change of surface morphologies were shown. In the case of polar (0001) plane, polishing scratches on the surface decreased with increased thermal cleaning temperature, and atomic step was appeared at 1000 oC. At 1100 oC, desorption of surface occurred and surface morphologies became rough. In the case of non-polar GaN substrates, surface morphologies after thermal cleaning were markedly different based on orientation of surface. Surface roughness of (20-21) plane GaN drastically deteriorated with increasing thermal cleaning temperature. |
キーワード |
(和) |
GaN / サーマルクリーニング / 自立基板 / / / / / |
(英) |
GaN / thermal cleaning / free-standing substrate / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-124, pp. 111-115, 2014年11月. |
資料番号 |
LQE2014-124 |
発行日 |
2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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