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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-11-28 09:55 MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作 ○豊田史朗（理研/埼玉大）・寺嶋 亘（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研/埼玉大）  ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 |
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| 抄録 | （和） | テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）は小型，連続動作，狭線幅，高出力，長寿命といった特長を持つことから，簡便に扱えるテラヘルツ光源として期待されている。窒化物半導体はヒ素系材料よりも大きなLOフォノン散乱エネルギーを持つため，THz-QCLにおける5-12THz帯の発振周波数の拡大と室温での動作を実現することが期待されている。本研究では有機金属気相成長（MOCVD）法を用いてGaN系THz-QCLを作製し，その構造と光学評価を行った。MOCVD法で作製したTHz-QCL構造は分子線エピタキシ法で成長した構造と比較して，モザイク性や貫通転位密度が大幅に減少した。またTHz-QCL素子への電流注入によって，未踏領域7THzからのレーザ発振を世界で初めて観測した。 |
| （英） | Terahertz quantum cascade lasers (THz-QCLs) are attracting attention for use as a lot of applications, because they are quite compact THz light sources which can achieve high output power, narrow line-width and continuous wave (C. W.) operation. GaN-based semiconductors which have huge longitudinal optical phonon energies are expected as materials to solve both problems of "Development of operational frequency range (5-12 THz)" and "Increase of operational temperature (>300 K)" on THz-QCLs. In this study, we grew GaN-based THz-QCL structures by using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and investigated their structural and optical properties. We found that the QC structure fabricated by the MOCVD has advantage over mosaic and threading dislocation density characteristics in comparison with those of the QC structure fabricated by a molecular beam epitaxy. We successfully realized lasing action at the unexplored frequency of 7 THz from a GaN-based THz-QCL. | |
| キーワード | （和） | MOCVD / テラヘルツ / 量子カスケードレーザ / ?族窒化物半導体 / / / / |
| （英） | MOCVD / THz / QCL / III-Nitride semiconductors / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-112, pp. 55-58, 2014年11月. | |
| 資料番号 | LQE2014-112 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOCVD Growth of GaN-based THz Quantum Cascade Laser and Observation of Emission at 7 THz |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | テラヘルツ / THz |
| キーワード(3)（和/英） | 量子カスケードレーザ / QCL |
| キーワード(4)（和/英） | ?族窒化物半導体 / III-Nitride semiconductors |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 豊田 史朗 / Shiro Toyoda / トヨダ シロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所/埼玉大学 (略称： 理研/埼玉大) RIKEN/Saitama University (略称： RIKEN/Saitama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺嶋 亘 / Wataru Terashima / テラシマ ワタル |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata / カマタ ノリヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 理化学研究所/埼玉大学 (略称： 理研/埼玉大) RIKEN/Saitama University (略称： RIKEN/Saitama Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-28 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2014-84, CPM2014-141, LQE2014-112 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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