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講演抄録/キーワード
講演名 2014-12-12 17:30
NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性
篠倉弘樹西 佑介岩田達哉木本恒暢京大EID2014-38 SDM2014-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-38 SDM2014-133
抄録 (和) 我々はこれまで,NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)において,NiO堆積時の酸素流量を適切に調節することでフォーミングに2つのモードを有することを確認した.本研究では,2つ目のモードであるセミフォーミング後に注目して抵抗スイッチング特性を調べた.セミフォーミング後において,電流値が量子化コンダクタンスの値$G_{rm 0}$ (= 77.5 $mu$S)に従って離散的に変動することを見出した.また,セミフォーミング直後のコンダクタンスが初期状態のコンダクタンス$G_{rm ini}$や素子面積によらずほとんど$G_{rm 0}$の値を示した.さらに,$G_{rm 0}$の値を示したセミフォーミング直後における各素子のコンダクタンスの温度依存性を77 Kから400 Kの範囲で調べた.77 Kから室温付近までは$G_{rm 0}$で一定を保ったが,室温から400 Kまではコンダクタンスが温度に従い上昇した.ただし,この結果から$G_{rm ini}$における温度依存性を差し引くと,高温領域でも$G_{rm 0}$で一定となった.バルク領域と並列に量子ポイントコンタクト(QPC)をなすような導電性フィラメントがセミフォーミングによって形成されたことが示唆された.また,2つ目のモードとセカンドフォーミング後の高抵抗状態におけるコンダクタンスの温度依存性が同様であった.セカンドフォーミング後の抵抗スイッチングは,QPCをなすフィラメントではなくセカンドフォーミングによって新たに形成されたフィラメントの断裂・再形成に関係することが示唆された. 
(英) In our previous work, forming processes showing two kinds of modes in resistive switching memory (ReRAM) based on NiO deposited with a proper oxygen gas flow rate were observed. In this work, resistive switching characteristics in the second mode, after semi-forming, were investigated. It was found that current after semi-forming fluctuated discretely by the quantized conductance $G_{rm 0}$ (= 77.5 $mu$S), and that the conductance values in most cells right after semi-forming were $G_{rm 0}$ independent of the conductance in initial state $G_{rm ini}$ and cell area. In addition, the temperature dependence of the conductance G in the range of 77-400 K indicates that the values of $G$ were identical to $G_{rm 0}$ from 77 K to around room temperature (RT). Although the values increased with temperature from around RT to 400 K, $G$ - $G_{rm ini}$ exhibited a constant value of $G_{rm 0}$ even in the high temperature region. Therefore, it is suggested that a conductive filament including quantum point contact (QPC) is formed in parallel to the bulk region by semi-forming. Furthermore, conductance in a second mode showed similar temperature dependence to that in high resistance state after second forming. The result reveals that resistive switching after second forming is involved in the formation and rupture of some filaments additionally formed by second forming instead of any filaments including QPCs.
キーワード (和) 抵抗変化型メモリ / 酸化ニッケル / 量子ポイントコンタクト / / / / /  
(英) ReRAM / Nickel oxide / Quantum point contact / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-133, pp. 129-134, 2014年12月.
資料番号 SDM2014-133 
発行日 2014-12-05 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2014-38 SDM2014-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-38 SDM2014-133

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2014-12-12 - 2014-12-12 
開催地(和) 京都大学 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 
テーマ(英) Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Resistive switching characteristics of NiO-based ReRAM after semi-forming process. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化型メモリ / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) 酸化ニッケル / Nickel oxide  
キーワード(3)(和/英) 量子ポイントコンタクト / Quantum point contact  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠倉 弘樹 / Hiroki Sasakura / ササクラ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 佑介 / Yusuke Nishi / ニシ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 達哉 / Tatsuya Iwata / イワタ タツヤ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-12-12 17:30:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2014-38, SDM2014-133 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.359(EID), no.360(SDM) 
ページ範囲 pp.129-134 
ページ数
発行日 2014-12-05 (EID, SDM) 


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