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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 16:15 Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 ○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大）  EID2014-33 SDM2014-128 |
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| 抄録 | （和） | Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し，1Hz～1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った．Split C-V法ではゲート－チャネル間の容量を測定するが，伝導帯近傍の界面準位密度の多いSiC-MOSFETでは，Split C-V特性に周波数依存性が表れる．SiC/酸化膜界面に窒素およびリンを導入した試料を用い，Split C-V特性の測定周波数による反転電荷の周波数応答や界面準位の影響について考察した．正確に反転層電荷密度を評価するには超低周波測定が必要であることを明らかにした． |
| （英） | Interface properties in 4H-SiC n-MOSFETs on Si-face were characterized by using split C-V method in the frequency range of 1 - 1M Hz. The split C-V characteristics for SiC-MOSFETs showed frequency dependence due to a large interface state density near the conduction band edge. The impact of the interface properties produced by different oxidation methods including NO- and POCl3-annealing on the frequency dependence in the split C-V characteristics is discussed in this study. We revealed that a very low frequency is needed for accurate evaluation of channel charge density. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOS / POCl3アニール / Split C-V / / / / |
| （英） | 4H-SiC / MOS / POCl3-anneal / Split C-V / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-128, pp. 103-107, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-128 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-33 SDM2014-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Frequency dependence of Split C-V characteristics in Si-face 4H-SiC n-MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | POCl3アニール / POCl3-anneal |
| キーワード(4)（和/英） | Split C-V / Split C-V |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 結城 広登 / Hiroto Yuki / ユウキ ヒロト |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学/筑波大学 (略称： 奈良先端大/筑波大) Nara Institute of Science and Technology/University of Tsukuba (略称： NAIST/Univ. Tsukuba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 16:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-33, SDM2014-128 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.103-107 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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