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講演抄録/キーワード
講演名 2014-12-19 14:50
III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術
一宮佑希竹中 充高木信一東大OPE2014-146 LQE2014-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2014-146 LQE2014-133
抄録 (和) III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半導体層への強い光閉じ込めを実現し、またレーザーなどのアクティブデバイスとパッシブデバイスとのモノリシック集積を可能にするプラットフォームである。今回、III-V-OI基板上での高性能アクティブ光デバイスの実現に向けて、III-V-OI基板の耐熱性向上の方法と、低抵抗横型p-i-n接合の形成技術について調べた。III-V-OI基板の耐熱性はIII-V層と絶縁層との界面状態が大きく影響し、キャップ層の再堆積やSiO2を用いた基板貼り合わせにより基板の耐熱性が向上することが分かった。横型p-i-n接合については、Siイオン注入とZn拡散を用いてn+領域とp+領域を形成しさらにi領域の長さを小さくすることで1.0 Ω•cmという低抵抗p-i-nダイオードを実証した。 
(英) III-V CMOS photonics is a platform which enables strong optical confinement to the III-V waveguides by using III-V-on-Insulator (III-V-OI) wafers. III-V CMOS photonics also enables monolithic integration of passive waveguide devices and high performance active photonic devices including lasers. In this paper, we have investigated how to improve the thermal tolerance of the III-V-OI wafers and how to form low-resistance lateral p-i-n junctions on the III-V-OI wafers. We have found that the interface state between the III-V layer and the insulating layer is important for the thermal tolerance of the III-V-OI wafers. The interface state after high temperature process was found to be improved by the re-capping process and changing the bonding interface to SiO2 from Al2O3. Then, we have formed lateral p-i-n junctions on the III-V-OI wafers using Si ion implantation and Zn diffusion process. By reducing the length of the ‘i’ layer, low resistance of 1.0 Ω•cm was obtained.
キーワード (和) 光集積回路 / 基板貼り合わせ / 耐熱性 / 横型PIN接合 / III-V CMOS フォトニクス / / /  
(英) Photonic integrated circuits / Wafer bonding / Thermal tolerance / Lateral PIN junctions / III-V CMOS photonics / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 378, LQE2014-133, pp. 37-40, 2014年12月.
資料番号 LQE2014-133 
発行日 2014-12-11 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2014-146 LQE2014-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2014-146 LQE2014-133

研究会情報
研究会 OPE LQE  
開催期間 2014-12-18 - 2014-12-19 
開催地(和) 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan, NTT Atsugi R&D center 
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS)、半導体レーザ関連技術、シリコンフォトニクス、一般 
テーマ(英) Optical passive component (filter, connector, MEMS), Semiconductor lasers, Silicon photonics, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2014-12-OPE-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Thermal resistance improvement and low-resistance lateral PIN junction formation technique on III-V-OI wafers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光集積回路 / Photonic integrated circuits  
キーワード(2)(和/英) 基板貼り合わせ / Wafer bonding  
キーワード(3)(和/英) 耐熱性 / Thermal tolerance  
キーワード(4)(和/英) 横型PIN接合 / Lateral PIN junctions  
キーワード(5)(和/英) III-V CMOS フォトニクス / III-V CMOS photonics  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 一宮 佑希 / Yuki Ikku / イック ユウキ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-12-19 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 OPE2014-146, LQE2014-133 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.377(OPE), no.378(LQE) 
ページ範囲 pp.37-40 
ページ数
発行日 2014-12-11 (OPE, LQE) 


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