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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-23 14:35 蒸気圧制御温度差液相成長法によるTHz発生用GaSe結晶の成長とその評価 ○鈴木康平・長井悠輝・山本邦彦・佐藤陽平・前田健作・齊藤恭介・小山 裕（東北大）  ED2014-115 |
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| 抄録 | （和） | GaSe結晶は高い複屈折性(no=2.9082, ne=2.5676 @1.06μm)、広い透過波長領域(0.6~20μm)、そして大きな非線形光学定数(d22 = 54 pm/V)を持ち合わせている。この特性により、同軸位相整合にて差周波混合し、高効率なTHz波を発生させることができる。従来のGaSe結晶成長法であるBridgman法では、熱平衡点欠陥の導入と、Se乖離によるノンストイキオメトリ組成のためTHz波発生効率の低下が問題となる。そこで本研究では蒸気圧制御温度差液相成長法により、GaSe結晶を成長した。さらに同成長法にて、自由キャリア吸収の抑制を目的とした遷移金属Feを添加したGaSe結晶の成長を行った。成長した結晶は、ホール係数測定、THz波発生特性、透過スペクトル等についてBridgman法により成長した市販GaSe結晶との比較を行ったので報告する。 |
| （英） | GaSe crystals have high birefringence(no=2.9082, ne=2.5676 @1.06μm), wide transparency(0.6~20μm), and large nonlinear optical coefficient (d22 = 54 pm/V). For these superior properties, these crystals can generate high efficiency THz wave via difference frequency generation under collinear phase matching. THz generation efficiency of conventional Bridgman-grown GaSe crystals were decreased by thermal equilibrium point defects and non-stoichiometric composition. In this study, GaSe crystals for the THz wave generation were grown by the liquid phase epitaxy under controlled vapor pressure. Furthermore Fe-doped GaSe crystals for the purpose of prevention of free carrier absorption were grown by the same growth method. These crystals were evaluated by in comparison with the commercially available Bridgman grown crystals. | |
| キーワード | （和） | GaSe / THz波 / 差周波発生 / 不純物添加 / / / / |
| （英） | GaSe / THz wave / Different frequency generation / Impurity doping / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 387, ED2014-115, pp. 97-102, 2014年12月. | |
| 資料番号 | ED2014-115 | |
| 発行日 | 2014-12-15 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-12-22 - 2014-12-23 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 蒸気圧制御温度差液相成長法によるTHz発生用GaSe結晶の成長とその評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of GaSe crystals for the THz generation by liquid phase epitaxy TDM-CVP and evaluation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaSe / GaSe |
| キーワード(2)（和/英） | THz波 / THz wave |
| キーワード(3)（和/英） | 差周波発生 / Different frequency generation |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物添加 / Impurity doping |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 康平 / Kouhei Suzuki / スズキ コウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長井 悠輝 / Yuki Nagai / ナガイ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 邦彦 / Kunihiko Yamamoto / ヤマモト クニヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 陽平 / Yohei Sato / サトウ ヨウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 健作 / Kensaku Maeda / マエダ ケンサク |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 恭介 / Kyosuke Saito / サイトウ キョウスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-23 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-115 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.387 |
| ページ範囲 | pp.97-102 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-12-15 (ED) |
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