講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-12-23 09:40
GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上 ○高橋 剛・佐藤 優・中舎安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介(富士通研) ED2014-108 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-108 |
抄録 |
(和) |
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオードを開発した。InPに格子整合したp-GaAsSbとn-InGaAsで構成されるこのダイオードはゼロバイアスおよび室温で動作し、従来のショットキーダイオードより高い検波特性を持つことが特徴である。ダイオードのドーピング濃度を最適化することで、ショットキーダイオードの理論限界を超える非線形特性、94GHzで20,000 V/Wの高い検波感度を達成した。さらに、接合容量を抑制した構造を用い、170GHzで2,200V/Wの検波感度を得た。このダイオードとInP HEMT低雑音増幅器を組み合わせることで、極めて高い感度のミリ波受信器を実現できる可能性を持つ。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
トンネルダイオード / バックワード / ミリ波 / 非線形 / GaAsSb / ゼロバイアス / 検波 / 感度 |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 387, ED2014-108, pp. 57-61, 2014年12月. |
資料番号 |
ED2014-108 |
発行日 |
2014-12-15 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2014-108 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-108 |