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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-01-21 16:10 イオン液体ゲートトランジスタを用いたチオフェン系導電性高分子の絶縁体-金属転移 ○伊東 裕・原田知典・安藤良洋・黒田新一（名大）  OME2014-79 |
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| 抄録 | （和） | ポリビス(アルキルチオフェン)チエノチオフェン (PBTTT) 薄膜のイオン液体トランジスタにおける絶縁体-金属転移の挙動を観測した．ガラス基板を自己組織化単分子膜で疎水化したところ，室温での電気伝導度300 S cm$^{-1}$，キャリア密度10$^{21} cm$^{-3}$，移動度3.4 cm$^2$ V$^{-1}$ s$^{-1}$ を達成した．一定ゲート電圧下で冷却したとき，180 K 付近まで電気伝導度が向上する金属的挙動を示し, 低温での温度依存性も小さく5K での電気伝導度は，250K でのそれの1/1.6 にしかならなかった． Zabrodskii プロットによる解析の結果，絶縁体-金属転移の臨界状態の兆候を観測した．この絶縁体-金属転移は，基板疎水化処理による高分子のラメラ結晶性の向上に起因すると考えられる． |
| （英） | Insulator-metal transition behaviors of Poly (2,5 bis (3-hexadecylthiophene-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) film in ionic-liquid transistors are observed. When the substrate is treated with self-assembled monolayer, channel conductivity of 300 S cm$^{-1}$ and carrier mobility of 3.4 cm$^2$ V$^{-1}$ s$^{-1}$ are achieved at room temperature at the doping concentration of 10$^{21} cm$^{-3}$. The conductivity shows metallic behavior down to 180K with very weak temperature dependence; the conductivity at 5 K is only 1.6 times smaller than that at 250 K. Possible insulator-metal transition at low temperature is found by the Zabrodskii plot analysis. The insulator-metal transition is benefitted by the semicrystalline lamellar structure enhanced by the substrate treatment with a self-assembled monolayer. | |
| キーワード | （和） | 導電性高分子 / イオン液体トランジスタ / 自己組織化膜 / 絶縁体‐金属転移 / / / / |
| （英） | Conducting polymers / Ionic-liquid transistors / elf-assembled monolayer / Insulator-metal transition / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 393, OME2014-79, pp. 15-18, 2015年1月. | |
| 資料番号 | OME2014-79 | |
| 発行日 | 2015-01-14 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2014-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME IEE-DEI |
| 開催期間 | 2015-01-21 - 2015-01-22 |
| 開催地（和） | 分子研（岡崎） |
| 開催地（英） | IMS(Okazaki) |
| テーマ（和） | 有機材料・一般 |
| テーマ（英） | Organic materials, devices and system |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2015-01-OME-DEI |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イオン液体ゲートトランジスタを用いたチオフェン系導電性高分子の絶縁体-金属転移 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Insulator-Metal transition of thiophene-based conducting polymers in ionic-liquid gated transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 導電性高分子 / Conducting polymers |
| キーワード(2)（和/英） | イオン液体トランジスタ / Ionic-liquid transistors |
| キーワード(3)（和/英） | 自己組織化膜 / elf-assembled monolayer |
| キーワード(4)（和/英） | 絶縁体‐金属転移 / Insulator-metal transition |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 裕 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 知典 / Tomonori Harada / ハラダ トモノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 良洋 / Yoshihiro Ando / アンドウ ヨシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 新一 / Shin-ichi Kuroda / クロダ シンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-01-21 16:10:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2014-79 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.393 |
| ページ範囲 | pp.15-18 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-01-14 (OME) |
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