講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-01-22 13:38
CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜におけるSi共添加による発光特性の改善 ○川口英紀・足立尚義・石垣 雅・大観光徳(鳥取大) EID2014-41 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-41 |
抄録 |
(和) |
蒸着源ペレットにSiを共添加したCuAlS2:Mn粉末蛍光体を用いて、電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn薄膜蛍光体を作製した。Siを共添加し、基板温度を変化させることでMnの置換サイトをCuまたはAlサイトの両サイトに置換することを制御できた。またアニール処理することでCuサイト置換型の薄膜試料における発光ピークはレッドシフトした。内部量子効率はCuサイト置換型の薄膜試料では9%、Alサイト置換型の薄膜試料では8%となった。 |
(英) |
The Si-codoped CuAlS2:Mn thin films have been prepared by EB evaporation using the phosphor powder as evaporation source pellets. By doping Si and varying the substrate temperature, the selective substitution of Mn centers for both Cu and Al has been first achieved for thin film samples. A currently obtained maximum internal quantum efficiency is about 9% for an orange emission due to Mn centers substituted for Cu, and 8% for a red emission due to Mn centers substituted for Al. |
キーワード |
(和) |
CuAlS2:Mn / 薄膜蛍光体 / 電子線蒸着法 / Si添加 / 量子効率 / / / |
(英) |
CuAls2:Mn / phosphor thin film / electron beam evaporation / Si doping / quantum efficency / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 407, EID2014-41, pp. 5-8, 2015年1月. |
資料番号 |
EID2014-41 |
発行日 |
2015-01-15 (EID) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EID2014-41 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-41 |