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講演抄録/キーワード
講演名
2015-01-27 16:20
[招待講演]非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
○
松川 貴
・
福田浩一
・
柳 永勛
・
塚田順一
・
山内洋美
・
石川由紀
・
遠藤和彦
・
大内真一
・
右田真司
・
水林 亘
・
森田行則
・
太田裕之
・
昌原明植
(
産総研
)
SDM2014-145
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 114, no. 421, SDM2014-145, pp. 41-44, 2015年1月.
資料番号
SDM2014-145
発行日
2015-01-20 (SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
SDM2014-145
研究会情報
研究会
SDM
開催期間
2015-01-27 - 2015-01-27
開催地(和)
機械振興会館
開催地(英)
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和)
先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集)
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2015-01-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Scaling Breakthrough for Analog/Digital Circuits by Suppressing Variability and Low-Frequency Noise for FinFETs by Amorphous Metal Gate Technology
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
松川 貴
/
Takashi Matsukawa
/
マツカワ タカシ
第1著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
福田 浩一
/
Koichi Fukuda
/
フクダ コウイチ
第2著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
柳 永勛
/
Yongxun Liu
/
リュウ ユウシュン
第3著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
塚田 順一
/
Junichi Tsukada
/
ツカダ ジュンイチ
第4著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
山内 洋美
/
Hiromi Yamauchi
/
ヤマウチ ヒロミ
第5著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
石川 由紀
/
Yuki Ishikawa
/
イシカワ ユキ
第6著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
遠藤 和彦
/
Kazuhiko Endo
/
エンドウ カズヒコ
第7著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
大内 真一
/
Shinichi O'uchi
/
オオウチ シンイチ
第8著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
右田 真司
/
Shinji Migita
/
ミギタ シンジ
第9著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
水林 亘
/
Wataru Mizubayashi
/
ミズバヤシ ワタル
第10著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
森田 行則
/
Yukinori Morita
/
モリタ ユキノリ
第11著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
太田 裕之
/
Hiroyuki Ota
/
オオタ ヒロユキ
第12著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
昌原 明植
/
Meishoku Masahara
/
マサハラ メイショク
第13著者 所属(和/英)
産業総合技術研究所
(略称:
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称:
AIST
)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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第21著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第21著者 所属(和/英)
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第22著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第22著者 所属(和/英)
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第23著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 所属(和/英)
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第30著者 所属(和/英)
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 所属(和/英)
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 所属(和/英)
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第35著者 所属(和/英)
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第36著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2015-01-27 16:20:00
発表時間
25分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2014-145
巻番号(vol)
vol.114
号番号(no)
no.421
ページ範囲
pp.41-44
ページ数
4
発行日
2015-01-20 (SDM)
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