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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-01-27 15:55 ［招待講演］16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM ○藪内 誠・森本薫夫・塚本康正・田中信二・田中浩司・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2014-144 |
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| 抄録 | （和） | 16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術を適用することで動作下限電圧，アクセスタイムを改善したSRAMマクロを開発した．それぞれの改善量は動作下限電圧が50mV，アクセスタイムが1.5倍となった．またSRAM読み出し電流のレイアウト依存性を調査した． |
| （英） | We demonstrate 16 nm FinFET High-k/Metal-gate SRAM macros with a wordline (WL) overdriven read/write-assist circuit. Test-chip measurements confirm improved minimum operating voltage (Vmin), standby leakage current, and access time compared to planar bulk CMOS. The proposed assist circuit improves Vmin by 50 mV and improves read-access-time by more than 1.5 times in 256-kbit SRAM macros. Read current (Iread) dependence against the fin diffusion length was observed. An extra design guard-band is needed to provide a reliable operation margin. | |
| キーワード | （和） | SRAM / 16nm / フィンFET / アシスト回路 / / / / |
| （英） | SRAM / 16nm / FinFET / assist circuit / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 421, SDM2014-144, pp. 37-40, 2015年1月. | |
| 資料番号 | SDM2014-144 | |
| 発行日 | 2015-01-20 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-144 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-01-27 - 2015-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 16 nm FinFET High-k/Metal-gate 256-kbit 6T SRAM Macros with Wordline Overdriven Assist |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 16nm / 16nm |
| キーワード(3)（和/英） | フィンFET / FinFET |
| キーワード(4)（和/英） | アシスト回路 / assist circuit |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藪内 誠 / Makoto Yabuuchi / |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 薫夫 / Masao Morimoto / |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 信二 / Shinji Tanaka / |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 浩司 / Koji Tanaka / |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 美紀 / Miki Tanaka / |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-01-27 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-144 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.421 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-01-20 (SDM) |
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