| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2015-02-05 14:15
高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数 ○池田浩也・ベラッパン マニムス・ムスサミ オンプラカシュ・鈴木悠平・ファイズ サレ・ムカンナン アリバナンドハン(静岡大)・鎌倉良成(阪大)・早川泰弘(静岡大) ED2014-139 SDM2014-148 |
| 抄録 |
(和) |
我々は,熱電発電デバイスの高効率化やサーモパイル型赤外線センサの高感度化を目指して,熱電変換材料の特性向上の研究を行なってきた.特性向上の方法として,SiGeナノ構造の導入によるゼーベック係数の増加と熱伝導率の低減に注目している.本稿では,SOI(Si on insulator)層,GOI(Ge on insulator)層およびSiGe混晶材料のゼーベック係数の測定を行い,キャリア輸送およびフォノン輸送の観点から解析を行った. |
| (英) |
We have investigated the enhancement of the thermoelectric performance in order to build high-efficiency power generators and high-sensitivity infrared photodetectors. For this purpose, we focus our attention on the use of SiGe nanostructures that are expected for increasing the Seebeck coefficient and reducing the thermal conductivity. In the present study, we measured and discussed the Seebeck coefficient in ultrathin SOI (Si-on-insulator) layer, GOI (Ge-on-insulator) layer and polycrystalline SiGe from the viewpoint of carrier and phonon transport. |
| キーワード |
(和) |
熱電変換 / SiGe混晶 / ゼーベック係数 / フォノンドラッグ / / / / |
| (英) |
thermoelectrics / SiGe / Seebeck coefficient / phonon drag / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 443, SDM2014-148, pp. 7-11, 2015年2月. |
| 資料番号 |
SDM2014-148 |
| 発行日 |
2015-01-29 (ED, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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