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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-03-02 13:05 ［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2014-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-166 |
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| 抄録 | （和） | STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて，メモリアレイのデータ保持特性を測定して統計的な解析を行った．解析に際して双方向遷移モデルを用いることで，16kbitアレイにおける“0”状態と “1”状態のデータ遷移確率の時間変化を個別にフィッティングすることができ，それぞれの状態のΔとばらつきを正確に求めることに成功した．またメモリアレイの抵抗とばらつきをアナログモードで測定することで，“0”状態のΔは素子面積に依存しないが，“1”状態のΔは素子面積と共に増加することを明らかにした．さらにΔのばらつきはいずれの状態でも面積の増加と共に減少し，同じ面積の面内磁化型MTJに比べて小さいことを示した．素子抵抗，磁気特性およびΔの振る舞いを比較解析した結果，Δとそのばらつきを制御するためには，MTJの保磁力とそのばらつきを制御することが重要であるとの知見を得た． |
| （英） | We report a statistical analysis of the thermal stability factor (delta) for the top-pinned perpendicular magnetic tunnel junction (p-MTJ). By using a bi-directional data flipping model, the data retention characteristics of the “0” and “1” states can be fitted separately, including the saturation of failure probability. With the help of a resistance evaluation for the 16-kbit MTJ array, it became clear that the delta of the “1” state increased as the device area increased, whereas the delta of the “0” state remains constant regardless of the size. Moreover, we found that the p-MTJ exhibited a much smaller variation of delta compared with the in-plane MTJ. Variations of delta in both states decreased as the area increased. In combination with an intense magnetic measurement for the discrete monitor devices, the key parameter to increase the delta and suppress its variation was investigated. | |
| キーワード | （和） | スピン注入型MRAM / 垂直磁気トンネル接合 / 熱安定性 / 双方向データ遷移モデル / / / / |
| （英） | STT-MRAM / Perpendicular MTJ / Thermal stability factor / Bi-directional data flipping model / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 469, SDM2014-166, pp. 23-28, 2015年3月. | |
| 資料番号 | SDM2014-166 | |
| 発行日 | 2015-02-23 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-03-02 - 2015-03-02 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | http://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Area dependence of thermal stability factor in perpendicular STT-MRAM analized by bi-directional data flipping model |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピン注入型MRAM / STT-MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 垂直磁気トンネル接合 / Perpendicular MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | 熱安定性 / Thermal stability factor |
| キーワード(4)（和/英） | 双方向データ遷移モデル / Bi-directional data flipping model |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 浩司 / Koji Tsunoda / |
| 第1著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 正樹 / Masaki Aoki / |
| 第2著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 能代 英之 / Hideyuki Noshiro / |
| 第3著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 射場 義久 / Yoshihisa Iba / |
| 第4著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 親子 / Chikako Yoshida / |
| 第5著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 裕一 / Yuuichi Yamazaki / |
| 第6著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 厚 / Atsushi Takahashi / |
| 第7著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑田 明良 / Akiyoshi Hatada / |
| 第8著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中林 正明 / Masaaki Nakabayashi / |
| 第9著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii / |
| 第10著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-03-02 13:05:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-166 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.469 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-02-23 (SDM) |
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