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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-03-02 13:35 ［招待講演］選択成長を用いたCNTビアのインテグレーション 磯林厚伸・和田 真・伊東 伴・斎藤達朗・西出大亮・石倉太志・片桐雅之・山崎雄一・松本貴士・北村政幸・渡邉勝仁・佐久間尚志・○梶田明広・酒井忠司（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2014-167 |
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| 抄録 | （和） | 塗布型カーボン犠牲膜をCMPする技術と、ビアホール側面をシーリングする技術を用いて、高い選択性を有するCNTビア形成プロセスを開発した。これらの技術により、ウエーハ表面やビアホール側面からのCNT成長を防止することができ、２層の配線層を高い均一性を有する高密度のCNTビアにて接続することが可能となった。300mmウエーハにて、本プロセスを用いた２層配線構造を試作し、2万個規模の100nm径ビアチェーンTEGの評価を行った結果、抵抗ばらつきを抑制でき、100%の導通歩留まりが達成できた。 |
| （英） | In this study, a highly selective carbon nanotube (CNT) via process was developed using a sacrificial spin-on carbon (SOC) chemical mechanical polishing (CMP) and a sidewall sealing processes. These processes suppressed CNT growth from the top surface and via sidewalls respectively and, as a result, realized a highly uniform and dense CNT connection between the two wirings. By applying this to a two-level interconnects structure in 300mm wafer, 100% yield was achieved in 20k scale via chain test pattern with the via diameter of 100nm and a tight distribution of via resistance with highly dense CNT connecting the two wirings was obtained. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / ビア / 選択成長 / 配線 / / / / |
| （英） | CNT / via / selective growth / interconnect / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 469, SDM2014-167, pp. 29-32, 2015年3月. | |
| 資料番号 | SDM2014-167 | |
| 発行日 | 2015-02-23 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-167 |
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