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講演抄録/キーワード
講演名 2015-03-02 13:00
A Fast Lithographic Mask Correction Algorithm
Ahmd AwadAtsushi TakahashiTokyo Institute of TechnologyVLD2014-153
抄録 (和) As technology nodes downscaling into sub-16 nm regime, the industry relies heavily on Optical Proximity
Correction (OPC) to improve mask pattern transfer fidelity and process window for optical micro-lithography. However, OPC
computational time becomes a crucial factor since mask data have to be prepared in manner of hours to cover
the huge industrial needs. Nevertheless, there is a trade-off between mask image accuracy and OPC simulation
time. In this paper, we propose a new grid based algorithm to improve the accuracy of simulated mask image with the least
number of convolutions during OPC process, which is proportional to OPC computational time. We analyze our algorithm and the observations we obtained on
public benchmark released by IBM for ICCAD 2013 CAD contest. 
(英) As technology nodes downscaling into sub-16 nm regime, the industry relies heavily on Optical Proximity
Correction (OPC) to improve mask pattern transfer fidelity and process window for optical micro-lithography. However, OPC
computational time becomes a crucial factor since mask data have to be prepared in manner of hours to cover
the huge industrial needs. Nevertheless, there is a trade-off between mask image accuracy and OPC simulation
time. In this paper, we propose a new grid based algorithm to improve the accuracy of simulated mask image with the least
number of convolutions during OPC process, which is proportional to OPC computational time. We analyze our algorithm and the observations we obtained on
public benchmark released by IBM for ICCAD 2013 CAD contest.
キーワード (和) Optical Lithography / Grids / Mask / Intensity Difference Map / OPC / / /  
(英) Optical Lithography / Grids / Mask / Intensity Difference Map / OPC / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 476, VLD2014-153, pp. 1-6, 2015年3月.
資料番号 VLD2014-153 
発行日 2015-02-23 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2014-153

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2015-03-02 - 2015-03-04 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2015-03-VLD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Fast Lithographic Mask Correction Algorithm 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Optical Lithography / Optical Lithography  
キーワード(2)(和/英) Grids / Grids  
キーワード(3)(和/英) Mask / Mask  
キーワード(4)(和/英) Intensity Difference Map / Intensity Difference Map  
キーワード(5)(和/英) OPC / OPC  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Ahmd Awad / Ahmd Awad /
第1著者 所属(和/英) Tokyo Institute of Technology (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Institute of Technology)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Atsushi Takahashi / Atsushi Takahashi /
第2著者 所属(和/英) Tokyo Institute of Technology (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Institute of Technology)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-03-02 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2014-153 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.476 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2015-02-23 (VLD) 


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