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講演抄録/キーワード
講演名 2015-03-04 09:40
パワースイッチ立上り時間制御におけるパワースイッチ駆動回路を用いたグラウンドバウンス低減効果の評価
大西哲太郎宇佐美公良芝浦工大VLD2014-176
抄録 (和) パワーゲーティング技術によりリーク電流を低減することが可能となった一方で、グラウンドバウンスノイズが発生するという問題が起きている。従来手法や先行研究ではパワースイッチのオンタイミングをばらつかせることによりグラウンドバウンスノイズを低減してきたが、パワースイッチの立上り時間を制御することによるグラウンドバウンスの低減効果は明らかにされていない。本研究では、先行研究のUnbalanced Power Switch Driver手法(UPSD)を改良したパワースイッチの立上り時間を制御する方式を提案し、UPSDに対する低減効果を調べた。その結果、グラウンドバウンスはALUで53.1%、乗算器で29.2%低減することがわかった。 
(英) While Power Gating technology enables us to reduce leakage current, it causes a serious problem of occurring Ground Bounce noise. Although Ground Bounce noise was suppressed by distributing the moments when Power Switches turn on in conventional method and previous work, it is not clarified that how controlling Power Switch Rise Time influences the Ground Bounce. In this research, we propose the method to control Power Switch Rise Time that the previous work of Unbalanced Power Switch Driver (UPSD) improves. Results have demonstrated the Ground Bounce is reduced by 53.1% in ALU and by 29.2% in Multiplier in our proposal compared to UPSD.
キーワード (和) グラウンドバウンス / パワースイッチドライバ / 遺伝的プログラミング / / / / /  
(英) Ground Bounce / Power Switch Driver / Genetic Programming / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 476, VLD2014-176, pp. 129-134, 2015年3月.
資料番号 VLD2014-176 
発行日 2015-02-23 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2014-176

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2015-03-02 - 2015-03-04 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2015-03-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パワースイッチ立上り時間制御におけるパワースイッチ駆動回路を用いたグラウンドバウンス低減効果の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ground Bounce Suppressive Effect using Power Switch Driver to control Power Switch Rise Time 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラウンドバウンス / Ground Bounce  
キーワード(2)(和/英) パワースイッチドライバ / Power Switch Driver  
キーワード(3)(和/英) 遺伝的プログラミング / Genetic Programming  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大西 哲太郎 / Tetsutaro Ohnishi / オオニシ テツタロウ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: S.I.T.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: S.I.T.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-03-04 09:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2014-176 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.476 
ページ範囲 pp.129-134 
ページ数
発行日 2015-02-23 (VLD) 


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