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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-03-04 11:10 薄膜BOX-SOIにおける論理合成対象電圧の選択によるエネルギー最小化 ○川崎 純・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2014-179 |
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| 抄録 | （和） | FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide:SOTB)は、Vthばらつきの抑制から低電圧動作を可能としている。これにより、従来バルクトランジスタより広範な電圧領域で動作可能である。しかし、SOTB設計上では広範な動作電圧によるセル性能変化に対応した論理合成が必要である。本研究では、論理合成時に対象とする電源電圧を変更した生成回路の解析を行うことにより、エネルギー最小となる論理合成対象電圧を明らかにする。 |
| （英） | Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) technology enables us to reduce supply voltage because the Vth variation can be suppressed. Therefore, SOTB can work with the wider range of the voltage than the bulk transistor. However, on the SOTB design it is necessary that the logic synthesis correspond to the cell performance changed by the wide voltage range. In this paper, we clarify the energy smallest voltage intended for by logic synthesis by analyzing the circuits which changed the supply voltages. | |
| キーワード | （和） | 超低電圧 / 薄膜BOX-SOI / 論理合成 / / / / / |
| （英） | ultra low voltage operation / silicon on thin buried oxide / logic synthesis / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 476, VLD2014-179, pp. 147-152, 2015年3月. | |
| 資料番号 | VLD2014-179 | |
| 発行日 | 2015-02-23 (VLD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2014-179 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
| 開催期間 | 2015-03-02 - 2015-03-04 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2015-03-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜BOX-SOIにおける論理合成対象電圧の選択によるエネルギー最小化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Energy minimization by voltage choice targeted for logic synthesis in silicon on thin buried oxide |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超低電圧 / ultra low voltage operation |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜BOX-SOI / silicon on thin buried oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 論理合成 / logic synthesis |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 純 / Jun Kawasaki / カワサキ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： S.I.T.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： S.I.T.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-03-04 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2014-179 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.476 |
| ページ範囲 | pp.147-152 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-02-23 (VLD) |
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