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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-03-05 09:30 MOSFETにおける非線形容量のミリ波帯モデリング 奈原 諒・片山光亮・高野恭弥・天川修平・○吉田 毅・藤島 実（広島大）  MW2014-202 ICD2014-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2014-202 ICD2014-115 |
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| 抄録 | （和） | 消費電力や回路特性を推定するために回路シミュレーションに用いられるMOSFETモデルでは，DC，小信号，大信号それぞれの特性で実測結果と乖離がないことが求められる．しかし，これまで小信号特性の測定結果から求められたMOSFETのモデルでは，大信号特性のシミュレーションが実測結果と乖離していた．正確なモデルを実現するためには、小信号の測定結果から非線形モデルを確立する必要がある。Sパラメータから小信号モデルは簡単に確立することができるが、非線形モデルとして物理的に矛盾があることがある。そこで本稿では、Sパラメータ測定の結果から非線形モデルを作成するために、MOSFETを65 nm CMOSプロセスで試作し、110 GHｚまでの測定結果を用いて非線形容量のモデル化を試みた。 |
| （英） | For precise estimation of power consumption and circuit characteristics, MOSFET models used in circuit simulation should have predictive power for measured results of DC, small-signal and large-signal characteristics. By using the MOSFET model constructed only from small-signal characteristics, however, measured and simulated results of large-signal characteristics often show considerable discrepancy. To realize an accurate model, it is necessary to establish a physically-consistent nonlinear model from the result of the small signal measurements. Although a small-signal model from the S-parameters can be easily established, it may become physically inconsistent as a nonlinear model. In this paper, a nonlinear MOSFET model, is obtained from bias-dependent scattering parameters. MOSFET is fabricated with 65nm CMOS process and it is modeled using voltage-dependent small-signal characteristics from DC to 110 GHz. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / モデリング / 非線形容量 / ミリ波 / / / / |
| （英） | MOSFET / modeling / nonlinear capacitance / millimeter wave / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 498, MW2014-202, pp. 1-5, 2015年3月. | |
| 資料番号 | MW2014-202 | |
| 発行日 | 2015-02-26 (MW, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2014-202 ICD2014-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2014-202 ICD2014-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ICD |
| 開催期間 | 2015-03-05 - 2015-03-06 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | University of Fukui |
| テーマ（和） | マイクロ波集積回路／一般 |
| テーマ（英） | Microwave Integrated Circuit / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2015-03-MW-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETにおける非線形容量のミリ波帯モデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of Nonlinear Capacitance on MOSFET at Millimeter-Wave Frequencies |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(3)（和/英） | 非線形容量 / nonlinear capacitance |
| キーワード(4)（和/英） | ミリ波 / millimeter wave |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈原 諒 / Ryo Nahara / ナハラ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 光亮 / Kosuke Katayama / カタヤマ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 恭弥 / Kyoya Takano / タカノ キョウヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天川 修平 / Shuhei Amakawa / アマカワ シュウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 毅 / Takeshi Yoshida / ヨシダ タケシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤島 実 / Minoru Fujishima / フジシマ ミノル |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
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| 講演者 | 第5著者 |
| 発表日時 | 2015-03-05 09:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2014-202, ICD2014-115 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.498(MW), no.499(ICD) |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-02-26 (MW, ICD) |
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