講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-03-05 10:00
高利得かつ広帯域なCMOS多段低雑音増幅器の設計 前田健吉・水草真一・高野恭弥・片山光亮・天川修平・吉田 毅・○藤島 実(広島大) MW2014-203 ICD2014-116 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2014-203 ICD2014-116 |
抄録 |
(和) |
ミリ波帯の低雑音増幅器には、高利得、広帯域、低雑音であることが求められる。ミリ波帯ではMOSFETの利得が小さいため、高利得、広帯域化を実現するためには増幅器を多段構成にする必要がある.本研究では.整合回路を設計するために数値探索を用いて設計し,その際にMAGを評価関数に用いて入出力の整合回路と中間段の整合回路を分けて設計することで高利得・広帯域・低反射化を実現した.また,高利得化により低雑音化も両立できることを示した.提案手法を用いて設計例として四段の増幅回路を設計し,中心周波数135GHzで利得が20dBで帯域30GHz,雑音指数8.2dBの特性を得た |
(英) |
It is highly required to realize high gain with wide bandwidth and low noise on amplifiers. In millimeter wave, gain on MOSFET is small so that multi stage is required to obtain sufficient gain. The proposed design method with numerical search using MAG as evaluation function enables to realize both high gain and wide bandwidth. In order to consider reflection on the input/output matching network, they are designed in a different way from the middle. Consequently this method realized high gain, wide bandwidth and low input/output reflection, therefore low noise due to high gain. Four stage amplifiers are designed at the center frequency of 135GHz with Gain of 20dB, bandwidth of 30GHz and noise figure of 8.2dB. |
キーワード |
(和) |
CMOS / 集積回路 / 低雑音増幅器 / ミリ波 / / / / |
(英) |
CMOS / integrated circuit, noise / microwave amplifier / millimeter wave / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 498, MW2014-203, pp. 7-11, 2015年3月. |
資料番号 |
MW2014-203 |
発行日 |
2015-02-26 (MW, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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