| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2015-04-17 10:50
［招待講演］Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ
○松嵜隆徳・大貫達也・長塚修平・井上広樹・石津貴彦・家田義紀・坂倉真之・熱海知昭・塩野入 豊・加藤 清・奥田 高・山元良高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・小山 潤・山崎舜平（半導体エネルギー研）  ICD2015-9 |
| 抄録 |
（和） |
c軸配向した結晶性In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FETを用いたnonvolatile oxide semiconductor RAM（NOSRAM）で、128kbit 4bit/cellメモリを実現した。データは、Vt キャンセル書込方法を用いて書き込む。32768個のメモリセルで、読出電圧の分布幅3σ = 47mVが得られた。これにより、16個の分布は、重なることなく分離できた。CAAC-IGZO FETを用いたオフセット補正コンパレータを持つ4bit A/Dコンバータで、出力フェーズ持続時間が10秒であり、遷移点電圧変動は、4mVである。 |
| （英） |
A 128kbit 4bit/cell memory is achieved by a nonvolatile oxide semiconductor RAM test chip with a c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FET. Data are written by a Vt cancel write method. In a 32768-cell memory, the 3σ distribution width of the read voltage is 47mV, and 16 nonoverlapping distributions are obtained. In a 4bit A/D whose offset-compensating voltage is controlled by a CAAC-IGZO FET, the output phase duration is 10s and the transition point voltage varies by 4mV. |
| キーワード |
（和） |
結晶性酸化物半導体 / CAAC-IGZO / CMOS / 4bit/cell / In-Ga-Zn oxide / 不揮発性 / RAM / FET |
| （英） |
Crystalline Oxide Semiconductor / CAAC-IGZO / CMOS / 4bit/cell / In-Ga-Zn oxide / nonvolatile / RAM / FET |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 6, ICD2015-9, pp. 39-44, 2015年4月. |
| 資料番号 |
ICD2015-9 |
| 発行日 |
2015-04-09 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ICD2015-9 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD |
| 開催期間 |
2015-04-16 - 2015-04-17 |
| 開催地（和） |
信州大学 |
| 開催地（英） |
|
| テーマ（和） |
メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2015-04-ICD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
A 128kb 4bit/cell Nonvolatile Memory with Crystalline In-Ga-Zn Oxide FET Using Vt Cancel Write Method |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
結晶性酸化物半導体 / Crystalline Oxide Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） |
CAAC-IGZO / CAAC-IGZO |
| キーワード(3)（和/英） |
CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） |
4bit/cell / 4bit/cell |
| キーワード(5)（和/英） |
In-Ga-Zn oxide / In-Ga-Zn oxide |
| キーワード(6)（和/英） |
不揮発性 / nonvolatile |
| キーワード(7)（和/英） |
RAM / RAM |
| キーワード(8)（和/英） |
FET / FET |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松嵜 隆徳 / Takanori Matsuzaki / マツザキ タカノリ |
| 第1著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大貫 達也 / Tatsuya Onuki / オオヌキ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
長塚 修平 / Shuhei Nagatsuka / ナガツカ シュウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
井上 広樹 / Hiroki Inoue / イノウエ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
石津 貴彦 / Takahiko Ishizu / イシヅ タカヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
家田 義紀 / Yoshinori Ieda / イエダ ヨシノリ |
| 第6著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
坂倉 真之 / Masayuki Sakakura / サカクラ マサユキ |
| 第7著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
熱海 知昭 / Tomoaki Atsumi / アツミ トモアキ |
| 第8著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
塩野入 豊 / Yutaka Shionoiri / シオノイリ ユタカ |
| 第9著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
加藤 清 / Kiyoshi Kato / カトウ キヨシ |
| 第10著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
奥田 高 / Takashi Okuda / オクダ タカシ |
| 第11著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山元 良高 / Yoshitaka Yamamoto / ヤマモト ヨシタカ |
| 第12著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
藤田 昌宏 / Masahiro Fujita / フジタ マサヒロ |
| 第13著者 所属（和/英） |
東京大学 (略称： 東大)
The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小山 潤 / Jun Koyama / コヤマ ジュン |
| 第14著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山崎 舜平 / Shunpei Yamazaki / ヤマザキ シュンペイ |
| 第15著者 所属（和/英） |
株式会社半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory CO.,LTD. (略称： SEL) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第16著者 所属（和/英） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第17著者 所属（和/英） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 所属（和/英） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 所属（和/英） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 所属（和/英） |
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| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第21著者 所属（和/英） |
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| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 所属（和/英） |
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| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2015-04-17 10:50:00 |
| 発表時間 |
50分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
ICD2015-9 |
| 巻番号（vol） |
vol.115 |
| 号番号（no） |
no.6 |
| ページ範囲 |
pp.39-44 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2015-04-09 (ICD) |