| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-04-30 10:00 ［招待講演］高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ ○黒澤昌志・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2015-9 OME2015-9 |
|
| 抄録 | （和） | 光通信帯域（波長: 1.5 $mu$m）に合致する光学材料として，我々はシリコンスズ（SiSn）半導体に着目している．格子置換位置にSnを30%--60%程度取り込んだSiSnは、直接遷移型半導体になることが理論予測されている．しかし，Siに対するSnの熱平衡固溶限は0.1%以下と非常に小さく、これまで実現の目途は立っていなかった．最近我々は，非晶質SiにSnを30%導入することで，(1) Sn融点(231.9℃)以下での非晶質SiSnの結晶化，すなわち，非晶質SiSnの固相成長が進行すること，その結果として，(2) 高Sn組成（20%--30%）の多結晶および単結晶SiSnを絶縁膜およびGe基板上にそれぞれ形成できることを見出した．本報では，絶縁膜上におけるSiSnの結晶成長技術および形成したSiSn薄膜のバンド構造について紹介する． |
| （英） | This paper reports our recent progress in advanced Sn-assisted low-temperature crystallization methods for Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ alloys ($x: 0-0.3$) on insulators and Ge substrates. Micro-probe Raman spectra and Auger electron spectroscopy depth profiles reveal the presence of the substitutional Sn content as high as 22% in the polycrystalline- and epitaxial-Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ layers after annealing at 220℃ for 5 hrs. In addition, the band gap shrinkage due to the Sn incorporation has been demonstrated by Fourier transform infrared spectroscopy measurements. | |
| キーワード | （和） | IV族半導体 / シリコンスズ(SiSn) / 固相成長法 / / / / / |
| （英） | group-IV semiconductor / silicon tin (SiSn) / solid phase crystallization / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-9, pp. 35-37, 2015年4月. | |
| 資料番号 | SDM2015-9 | |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-9 OME2015-9 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2015-04-29 - 2015-04-30 |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 |
| サブタイトル（和） | 直接遷移構造化を目指して |
| タイトル（英） | Formation of high Sn content SiSn films and its band structure |
| サブタイトル（英） | Aiming for direct-band-gap semiconductor |
| キーワード(1)（和/英） | IV族半導体 / group-IV semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンスズ(SiSn) / silicon tin (SiSn) |
| キーワード(3)（和/英） | 固相成長法 / solid phase crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-04-30 10:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-9, OME2015-9 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.35-37 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]