講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-04-30 10:00
[招待講演]高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~ ○黒澤昌志・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明(名大) SDM2015-9 OME2015-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-9 OME2015-9 |
抄録 |
(和) |
光通信帯域(波長: 1.5 $mu$m)に合致する光学材料として,我々はシリコンスズ(SiSn)半導体に着目している.格子置換位置にSnを30%--60%程度取り込んだSiSnは、直接遷移型半導体になることが理論予測されている.しかし,Siに対するSnの熱平衡固溶限は0.1%以下と非常に小さく、これまで実現の目途は立っていなかった.最近我々は,非晶質SiにSnを30%導入することで,(1) Sn融点(231.9℃)以下での非晶質SiSnの結晶化,すなわち,非晶質SiSnの固相成長が進行すること,その結果として,(2) 高Sn組成(20%--30%)の多結晶および単結晶SiSnを絶縁膜およびGe基板上にそれぞれ形成できることを見出した.本報では,絶縁膜上におけるSiSnの結晶成長技術および形成したSiSn薄膜のバンド構造について紹介する. |
(英) |
This paper reports our recent progress in advanced Sn-assisted low-temperature crystallization methods for Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ alloys ($x: 0-0.3$) on insulators and Ge substrates. Micro-probe Raman spectra and Auger electron spectroscopy depth profiles reveal the presence of the substitutional Sn content as high as 22% in the polycrystalline- and epitaxial-Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ layers after annealing at 220℃ for 5 hrs. In addition, the band gap shrinkage due to the Sn incorporation has been demonstrated by Fourier transform infrared spectroscopy measurements. |
キーワード |
(和) |
IV族半導体 / シリコンスズ(SiSn) / 固相成長法 / / / / / |
(英) |
group-IV semiconductor / silicon tin (SiSn) / solid phase crystallization / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-9, pp. 35-37, 2015年4月. |
資料番号 |
SDM2015-9 |
発行日 |
2015-04-22 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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