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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-04-30 13:25 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 ○岡田竜弥・神村盛太・野口 隆（琉球大）  SDM2015-14 OME2015-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-14 OME2015-14 |
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| 抄録 | （和） | これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることで20－500 nm 厚のa-Si 膜が結晶化可能であり、平坦な結晶化Si 膜が得られることを明らかにしている。本研究では、結晶化メカニズムの解明をめざし、レーザ照射中の温度分布を解析した。解析の結果、レーザを500 mm/sで走査するとき、照射開始から20 µs 程度で温度変化がほぼ定常状態となり、膜表面と膜下面の温度変化を比較すると、50 nm厚のSi膜では温度差約30 K と膜厚方向の温度勾配はほとんどないことが分かった。膜内で均一な加熱昇温が実現でき、安定な結晶化が期待できる。 |
| （英） | We have reported that Blue Multi-Laser Diode Annealing (BLDA) is effective to crystallize Si films for next generation System on Panel. In this work, we performed numerical analysis of temperature distribution during BLDA. For the calculation, blue laser beam was focused on a-Si films with thickness between 50 nm to 1 µm, and the laser beam was scanned with a speed of 500 mm/s. Around 20 µs after starting laser scanning, the annealing profile reached steady state. Temperature difference between surface and bottom-surface of film was only ~30 K for 50 nm thick Si. The result indicates that nucleation occurs uniformly in the film due to the small gradient in depth direction, thus, small grains can be obtained uniformly. | |
| キーワード | （和） | 青色半導体レーザ / 結晶化 / 温度解析 / / / / / |
| （英） | Blue Multi-Laser Diode Annealing / Crystallization / Temperature Analysis / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-14, pp. 53-55, 2015年4月. | |
| 資料番号 | SDM2015-14 | |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-14 OME2015-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-14 OME2015-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2015-04-29 - 2015-04-30 |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Analysis of Si Films during Blue Multi-Laser Diode Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 青色半導体レーザ / Blue Multi-Laser Diode Annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶化 / Crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 温度解析 / Temperature Analysis |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 竜弥 / Tatsuya Okada / オカダ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. Ryukyus) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神村 盛太 / Seita Kamimura / カミムラ セイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. Ryukyus) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. Ryukyus) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-04-30 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-14, OME2015-14 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.53-55 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
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