| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-04-30 10:40 フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 ○松村 亮（九大/学振）・知北大典・甲斐友樹・佐々木雅也・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信（九大）  SDM2015-10 OME2015-10 |
|
| 抄録 | （和） | 次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200oC以下で固相成長させることに成功した。講演ではレーザーアニールを用いた独自の種付け法により結晶の位置決めはもとより、活性化エネルギーの低下や成長促進について詳細に議論する。 |
| （英） | In order to realize next generation flexible electronics, high carrier mobility materials, such as GeSn, has to be crystallized below softening temperature of reasonable flexible plastic substrates (softening temperature: ~200oC). By combining laser annealing, we have realized solid-phase crystallization of a-GeSn below 200oC on insulating substrates. This technique will be useful to realize next generation flexible electronics. | |
| キーワード | （和） | GeSn / 固相成長法 / レーザーアニール / / / / / |
| （英） | GeSn / solid-phase crystallization / laser annealing / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-10, pp. 39-40, 2015年4月. | |
| 資料番号 | SDM2015-10 | |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-10 OME2015-10 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2015-04-29 - 2015-04-30 |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral solid-phase crystallization of a-GeSn on insulator for next generation flexible electronics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GeSn / GeSn |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長法 / solid-phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアニール / laser annealing |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松村 亮 / Ryo Matsumura / マツムラ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学/学振特別研究員 (略称： 九大/学振) Kyushu University/ JSPS Research Fellow (略称： Kyushu Univ./ JSPS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 知北 大典 / Hironori Chikita / チキタ ヒロノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甲斐 友樹 / Yuki Kai / カイ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 雅也 / Masaya Sasaki / ササキ マサヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue / イケノウエ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第7著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-04-30 10:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-10, OME2015-10 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.39-40 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]