講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-05-28 13:50
マイクロ波加熱用GaN-on-Siトランジスタの大信号モデル ○クリスター アンダーソン・山口裕太郎・弥政和宏・河村由文・坂田修一・山中宏治・福本 宏(三菱電機) MW2015-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2015-21 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波加熱に使用するGaNonSiトランジスタの大信号モデルについて報告する。マイクロ波加熱ではCW動作を行うため、自己発熱の影響が顕著となる。DC特性および高周波特性の温度特性測定結果から、
温度特性を含んだGaNonSiトランジスタの大信号モデルを作成した。作成された大信号モデルの計算結果は入出力特性測定結果とよく一致した。 |
(英) |
In this paper, the large signal model of a GaN-on-Si transistor to be employed in microwave heating systems is reported. Since continuous wave (CW) mode is employed in microwave heating systems, transistor self-heating effects become increasingly important. In this paper, the large signal GaN-on-Si model includes thermal effects fitted based on measurement result of temperature dependent DC and RF characteristics in combination with IR thermal imaging. It is shown that the final model can well reproduce CW Pin-Pout characteristics of the GaN-on-Si device. This model will be useful in the design of high power and high efficiency GaN-on-Si amplifiers for use in microwave heating systems. |
キーワード |
(和) |
GaN / 電力増幅器 / 大信号モデル / 熱 / / / / |
(英) |
GaN / high power amplifier / large signal model / thermal effects / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 66, MW2015-21, pp. 1-5, 2015年5月. |
資料番号 |
MW2015-21 |
発行日 |
2015-05-21 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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