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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-05-29 14:45 デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析 ○坂井田雅人・光崎茂松・古橋秀夫・森 竜雄（愛知工大）  OME2015-21 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2015-21 |
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| 抄録 | （和） | 本研究の目的は，有機EL素子において正孔輸送材料として使用されるNPD（ナフチル置換トリフェニルジアミン誘導体）と，正孔注入材料として使用されるCuPc（銅フタロシアニン）について，有機デバイスシミュレータSetfos（サイバネットシステム）を利用して電気伝導特性の解析を行うことである．移動度やトラップによってNPD単層における電気伝導を説明した上で，CuPc/NPDのシミュレーションを行った結果，実測値とシミュレーション結果を近似させるためには，NPD単層から得られたNPDの物性パラメータを変更せざるを得なかった． |
| （英） | This reported the electrical conduction of NPD (di(1-naphthyl)-N, N'-diphenyl-1, 1'- diphenyl-4, 4'-diamine) and CuPc (Copper Phthalocyanine) using the device simulator “Setfos( Cybernet Systems)”. We obtained the electrical parameters of NPD monolayer by both simulation and experimental approaches. Although, we applied that parameters to CuPc/NPD bilayer, the simulation result was not consistent with the experimental. | |
| キーワード | （和） | 有機EL / 正孔輸送層 / 正孔注入層 / デバイスシミュレーション / Poole-Frenkel / / / |
| （英） | OLED / Hole Transport Layer / Hole Injection Layer / Device Simulation / Poole-Frenkel / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 68, OME2015-21, pp. 15-19, 2015年5月. | |
| 資料番号 | OME2015-21 | |
| 発行日 | 2015-05-22 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2015-21 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2015-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2015-05-29 - 2015-05-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、その他一般 |
| テーマ（英） | Organic Electronics Device, Biotechnolpgy, et al. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2015-05-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis on Electrical Conduction for Hole Injection Layer/Naphthyl-Substituted Diamine Derivative Using Device Simulator |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機EL / OLED |
| キーワード(2)（和/英） | 正孔輸送層 / Hole Transport Layer |
| キーワード(3)（和/英） | 正孔注入層 / Hole Injection Layer |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(5)（和/英） | Poole-Frenkel / Poole-Frenkel |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井田 雅人 / Masato Sakaida / サカイダ マサト |
| 第1著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： Aichi Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 光崎 茂松 / Shigematsu Kozaki / コウザキ シゲマツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： Aichi Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古橋 秀夫 / Hideo Furuhashi / フルハシ ヒデオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： Aichi Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 竜雄 / Tatsuo Mori / モリ タツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： Aichi Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-05-29 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2015-21 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.68 |
| ページ範囲 | pp.15-19 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-05-22 (OME) |
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