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講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-29 14:45
デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析
坂井田雅人光崎茂松古橋秀夫森 竜雄愛知工大OME2015-21
抄録 (和) 本研究の目的は,有機EL素子において正孔輸送材料として使用されるNPD(ナフチル置換トリフェニルジアミン誘導体)と,正孔注入材料として使用されるCuPc(銅フタロシアニン)について,有機デバイスシミュレータSetfos(サイバネットシステム)を利用して電気伝導特性の解析を行うことである.移動度やトラップによってNPD単層における電気伝導を説明した上で,CuPc/NPDのシミュレーションを行った結果,実測値とシミュレーション結果を近似させるためには,NPD単層から得られたNPDの物性パラメータを変更せざるを得なかった. 
(英) This reported the electrical conduction of NPD (di(1-naphthyl)-N, N'-diphenyl-1, 1'- diphenyl-4, 4'-diamine) and CuPc (Copper Phthalocyanine) using the device simulator “Setfos( Cybernet Systems)”. We obtained the electrical parameters of NPD monolayer by both simulation and experimental approaches. Although, we applied that parameters to CuPc/NPD bilayer, the simulation result was not consistent with the experimental.
キーワード (和) 有機EL / 正孔輸送層 / 正孔注入層 / デバイスシミュレーション / Poole-Frenkel / / /  
(英) OLED / Hole Transport Layer / Hole Injection Layer / Device Simulation / Poole-Frenkel / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 68, OME2015-21, pp. 15-19, 2015年5月.
資料番号 OME2015-21 
発行日 2015-05-22 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2015-21

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2015-05-29 - 2015-05-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、その他一般 
テーマ(英) Organic Electronics Device, Biotechnolpgy, et al. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2015-05-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis on Electrical Conduction for Hole Injection Layer/Naphthyl-Substituted Diamine Derivative Using Device Simulator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機EL / OLED  
キーワード(2)(和/英) 正孔輸送層 / Hole Transport Layer  
キーワード(3)(和/英) 正孔注入層 / Hole Injection Layer  
キーワード(4)(和/英) デバイスシミュレーション / Device Simulation  
キーワード(5)(和/英) Poole-Frenkel / Poole-Frenkel  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂井田 雅人 / Masato Sakaida / サカイダ マサト
第1著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi Institute of Technology (略称: Aichi Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 光崎 茂松 / Shigematsu Kozaki / コウザキ シゲマツ
第2著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi Institute of Technology (略称: Aichi Inst. Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 古橋 秀夫 / Hideo Furuhashi / フルハシ ヒデオ
第3著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi Institute of Technology (略称: Aichi Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 竜雄 / Tatsuo Mori / モリ タツオ
第4著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi Institute of Technology (略称: Aichi Inst. Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-05-29 14:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2015-21 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.68 
ページ範囲 pp.15-19 
ページ数
発行日 2015-05-22 (OME) 


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