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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 16:30 ［依頼講演］二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 ○野内 亮（阪府大）  SDM2015-54 |
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| 抄録 | （和） | 二層グラフェンは層間ポテンシャル差の導入によりバンドギャップが形成されるため，高い電荷キャリア易動度と相まって，スイッチング素子としてのトランジスタ応用が期待されている．ポテンシャル差異は表面吸着子からの電荷移動によっても導入されるため，トランジスタには不可避の電極接合におけるバンドギャップ形成が予想される．本研究において，スーパーリニアな電流電圧特性とそのゲート電圧依存性から，電極接合に起因するバンドギャップ形成の実験的証左を得ることに成功した．バンドギャップを介した電荷輸送は付加的な抵抗値を与えるため，電極接触抵抗としての寄与が考えられる．これはトランジスタ応用上重要な問題となり得る． |
| （英） | A bandgap is opened in bilayer graphene (BLG) by introducing a potential difference between the two graphene layers, raising expectations for its application to a transistor channel. The potential difference can be introduced, for example by charge transfer from surface adsorbates. Thus, a finite bandgap is expected to be opened at a metal contact, an inevitable component of transistors. In this study, we have successfully obtained an experimental signature of the bandgap opening at metal contacts in BLG field-effect transistors by examining superlinear current-voltage characteristics and their gate-voltage dependence. The current transport through the bandgap should be an additional source of electrode-contact resistance. | |
| キーワード | （和） | 二層グラフェン / 電極接合 / バンドギャップ / 電荷移動 / / / / |
| （英） | Bilayer Graphene / Metal Contact / Bandgap / Charge Transfer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-54, pp. 87-92, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-54 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bandgap opening and electrode contact resistances in bilayer graphene field-effect transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 二層グラフェン / Bilayer Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 電極接合 / Metal Contact |
| キーワード(3)（和/英） | バンドギャップ / Bandgap |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷移動 / Charge Transfer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野内 亮 / Ryo Nouchi / ノウチ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪府立大学 (略称： 阪府大) Osaka Prefecture University (略称： Osaka Pref. Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 16:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-54 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.87-92 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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