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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 13:40 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 ○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大）  SDM2015-47 |
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| 抄録 | （和） | 低い正孔障壁(ΦBP)を有するPtGe/Geコンタクトの作製およびその電気的パッシベーションについて調査を行った．極薄SiO2/GeO2構造でパッシベーションしたPtGe/n-Geコンタクトは， 0.64 eVの高い電子障壁を示し，~106のオンオフ比を示した．これはΦBP~0 eVを意味する．このPtGeコンタクトをソース/ドレイン(S/D)に用いて，等価換算膜厚が3.4 nmのp-MOSFETを作製し，良好なトランジスタ動作を得た．デバイス特性を解析することで，PtGe-S/D p-MOSFETのドレイン電流のオンオフ比および寄生抵抗が従来用いてきたHfGe-S/D p-MOSFETのそれよりも優れていることを実証した． |
| （英） | The fabrication of PtGe/Ge contacts with low hole barrier height (ΦBP) and its electrical passivation were investigated. A PtGe/n-Ge contact passivated by an ultrathin SiO2/GeO2 bilayer showed a high electron barrier height of 0.64 eV, indicating ΦBP~0 eV and an on/off ratio of ~106. A p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with an equivalent oxide thickness of 3.4 nm was fabricated using PtGe contacts as the source/drain (S/D), which showed well-behaved transistor operation. By investigating device performance, we showed that the on/off ratio of drain current and the parasitic resistance of PtGe-S/D p-MOSFETs were much superior to those of HfGe-S/D p-MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | Ge / MOSFET / メタルS/D / 寄生抵抗 / パッシバーション / / / |
| （英） | Ge / MOSFET / metal S/D / parasitic resistance / passivation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-47, pp. 47-50, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-47 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of PtGe/Ge contacts with low hole barrier and its application to metal source/drain Ge p-channel MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | メタルS/D / metal S/D |
| キーワード(4)（和/英） | 寄生抵抗 / parasitic resistance |
| キーワード(5)（和/英） | パッシバーション / passivation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永冨 雄太 / Yuta Nagatomi / ナガトミ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 慎太郎 / Shintaro Tanaka / タナカ シンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長岡 裕一 / Yuichi Nagaoka / ナガオカ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto / ヤマモト ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 冬 / Dong Wang / ワン ドン |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 寛 / Hiroshi Nakashima / |
| 第6著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 13:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-47 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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