研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2015-06-19 - 2015-06-19 |
開催地(和) |
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
開催地(英) |
VBL, Nagoya Univ. |
テーマ(和) |
MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) |
Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2015-06-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally grown SiO2/4H-SiC Structure |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡辺 浩成 / Hiromasa Watanabe / ワタナベ ヒロマサ |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
第4著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 所属(和/英) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 所属(和/英) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 所属(和/英) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 所属(和/英) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 所属(和/英) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 所属(和/英) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 所属(和/英) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-06-19 12:40:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2015-44 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.108 |
ページ範囲 |
pp.31-35 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2015-06-12 (SDM) |