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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 13:25 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 ○松本恵一・金谷佳則・岸川純也・下村和彦（上智大）  OPE2015-13 LQE2015-23 |
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| 抄録 | （和） | Si基板及びQuartz基板と薄膜InP層を直接貼付法により貼合わせ，この基板上にMOVPE法を用いてInP系の発光デバイスの集積を行った．MOVPE結晶成長時には選択MOVPE法を用いることで，EL発光波長の異なるLEDの集積を実現し，InP/Si基板上にはレーザ構造の集積も行うことで，異種基板上に前工程のみでのデバイス作製及び集積の可能性を示すことに成功した．この技術は，Siをはじめとする異種基板上へ，多機能なIII-V族半導体光デバイスの高密度集積を可能にする． |
| （英） | Thin film InP layers have been bonded on Si substrate and Quarts substrate using wafer direct bonding technique and integration of InP-based active devices on the bonded substrates has demonstrated using MOVPE. In the experiment, we have employed selective MOVPE growth technique, thereby observed successful EL wavelength shift from the integrated devices. Furthermore, integration of LD structure has also been demonstrated on InP/Si substrate. These results are of importance in terms of integration of several functional III-V optical devices on heterogeneous substrate including Si substrate. | |
| キーワード | （和） | シリコンフォト二クス / 直接貼付法 / MOVPE / III-V族半導体 / / / / |
| （英） | Silicon photonics / Wafer direct bonding / MOVPE / III-V compound / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 106, OPE2015-13, pp. 15-20, 2015年6月. | |
| 資料番号 | OPE2015-13 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2015-13 LQE2015-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2015-06-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Integration of III-V light emitting devices on heterogenious substrate employing directly-bonded InP platform |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォト二クス / Silicon photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 直接貼付法 / Wafer direct bonding |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | III-V族半導体 / III-V compound |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 恵一 / Keiichi Matsumoto / マツモト ケイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金谷 佳則 / Yoshinori Kanaya / カナヤ ヨシノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸川 純也 / Junya Kishikawa / キシカワ ジュンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下村 和彦 / Kazuhiko Shimomura / シモムラ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2015-13, LQE2015-23 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.106(OPE), no.107(LQE) |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) |
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