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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 11:10 ［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機）  SDM2015-42 |
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| 抄録 | （和） | SiC(000-1)面（C面）、SiC(0001)面（Si面）それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため、放射光X線光電子分光（SR-XPS）で界面の窒素とSiの化学状態を評価した。この結果、C面、Si面とも界面に導入された窒素の大部分は三配位のSi3NとしてSiC基板の最上層で極薄い層を形成おり、その量はC面の方が3倍程度多いことがわかった。Si3N はC面、Si面のどちらにおいても界面準位の原因となるSi原子の未結合手を不活性化していると推定される。原子の配列の乱れに由来するSiのサブオキサイドについてもC面の方が多いことがわかった。これは、C面は界面における原子配列の乱れが大きいことが示唆している。これらのSR-XPSの結果から界面の原子構造を推定し、C面、Si面の界面で窒素量が異なる理由について考察した。 |
| （英） | The chemical bonding states of Si and N at nitrided SiC/SiO2 interface were characterized by synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) for (0001)-face (Si-face) and (000-1)-face (C-face). The results indicate that the most of the N atoms at the interface are tri-coordinated nitrogen, Si3N, on both Si-face and C-face. The amount of N on C-face is greater than that on Si-face. The N atoms may passivate the Si dangling bond by forming Si3N bonding. The Si suboxides on C-face were also greater than that on Si-face, which suggests the disorder of the atomic arrangement at SiC/SiO2 interface would be large on C-face. We discussed the reason for the difference of the amount of N at the interface between Si-face and C-face by assuming the detailed atomic arrangement at SiC/SiO2 interface. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOS / SiO2 / 界面 / 窒素 / X線光電子分光 / / |
| （英） | 4H-SiC / MOS / SiO2 / interface / nitrogen / X-ray photoelectron spectroscopy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-42, pp. 21-26, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-42 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of nitrogen incorporation at SiC/SiO2 interface on Si-face and C-face 4H-SiC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(4)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(5)（和/英） | 窒素 / nitrogen |
| キーワード(6)（和/英） | X線光電子分光 / X-ray photoelectron spectroscopy |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 大輔 / Daisuke Mori / モリ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd (略称： Fuji Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 慧 / Kei Inoue / イノウエ ケイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd (略称： Fuji Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺西 秀明 / Hideaki Teranishi / テラニシ ヒデアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd (略称： Fuji Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広瀬 隆之 / Takayuki Hirose / ヒロセ タカユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd (略称： Fuji Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀧川 亜樹 / Aki Takigawa / タキガワ アキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社 (略称： 富士電機) Fuji Electric Co., Ltd (略称： Fuji Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 11:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-42 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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