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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 13:20 Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2015-46 |
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| 抄録 | （和） | リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響について調べた。Ti薄膜上に、表面酸化保護膜としてGe膜を積層することで、外部非加熱のH2-RP処理によりTiナノドットを高密度に一括形成できた。また、X線光電子分光(XPS)分析により、H2-RP処理前後で化学結合状態を分析し、H2-RP処理によりGe膜がエッチングされ、大気暴露でTiナノドットの酸化が進行することが分った。Ni電極を用いたMIMダイオードの電流-電圧(I-V)特性より、Tiナノドットを埋め込むことで、ON/OFF抵抗比が増大し、SET・RESET動作電圧のばらつきを低減することができた。 |
| （英） | We have studied the formation of Ti Nanodots (NDs) by remote-H2 plasma treatment and an impact of Ti-NDs embedding into SiOx on the resistive switching behaviors because it is expected that NDs can trigger the formation of the conductive filament path in SiOx. AFM analysis shows that a combination of a Ge(20 nm)/Ti(3 nm) stacked layer and subsequent H2-RP exposure without external heating is effective to form the high-density Ti-NDs, where Ge layer was used as a barrier layer against oxidation of the ultrathin Ti layer. XPS analysis confirmed that the Ge layer was completely etched away by H2-RP exposure and surface oxidation of Ti-NDs proceeds during air exposure. After fabrication of Si-rich oxide (SiOx) ReRAM with the NDs, resistive switching characteristics were measured from I-V curves and compared to the results obtained from the diodes without the NDs. ON/OFF ratio in resistance was increased with embedding the NDs, which indicates that the Ti oxide formed at embedded Ti-NDs surface reduces the current levels through the SiOx. In addition, embedding of Ti NDs in SiOx was found to be effective to separate the operation voltages between SET and RESET processes. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化メモリ(ReRAMs) / Tiナノドット / Si酸化物 (SiOx) / / / / / |
| （英） | Resistive Random Access Memories (ReRAMs) / Ti Nano-dots (NDs) / Si-rich Oxide (SiOx) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-46, pp. 41-45, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-46 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Embedded Ti Nanodots on Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ(ReRAMs) / Resistive Random Access Memories (ReRAMs) |
| キーワード(2)（和/英） | Tiナノドット / Ti Nano-dots (NDs) |
| キーワード(3)（和/英） | Si酸化物 (SiOx) / Si-rich Oxide (SiOx) |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 祐介 / Yuusuke Kato / カトウ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 崇 / Takashi Arai / アライ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 13:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-46 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.41-45 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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