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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 14:35 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2015-49 |
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| 抄録 | （和） | GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面のショットキー障壁高さ（SBH）は、フェルミレベルピニング（FLP）によって金属仕事関数に依らず0.6 eVに固定されるため、n-Geに対するコンタクト抵抗低減は非常に困難である。我々は今回、SBH低減技術の確立に向けて、超高Sn組成SnxGe1−x界面層に着目した。SnxGe1−xのSn組成および形成膜厚によって、歪エネルギーを適切に制御することで、固溶限界を大幅に超える最大60%の極めて高いSn組成を有する均一平坦なSnxGe1−xエピタキシャル層の形成に成功した。様々なSn組成を有するAl/SnxGe1−x/n-Ge(001)のショットキー障壁高さ（SBH）を評価した結果、Sn組成の増大に伴って、SBHが減少することがわかった。SnxGe1−xのエネルギーバンド構造を考慮すると、Sn組成の増大に伴って、ピンされたAl電極のフェルミ準位がGeの伝導帯側へシフトすると考えられ、その結果SBHが減少したと推測される。 |
| （英） | In order to realize high-performance Ge-channel CMOS, it is essential to reduce contact resistance at metal/Ge interface. However, Schottky barrier height (SBH) at metal/n-Ge is as high as 0.6 eV due to Fermi level pinning (FLP), suggesting that the reduction of contact resistance for n-Ge is quite difficult. . In this study, we focus an ultra-high Sn content-SnxGe1−x interlayer for lowering the SBH at metal/n-Ge interface. We obtained atomically flat and uniform SnxGe1−x layers with a maximum Sn content of 60% by suppressing the strain energy of SnxGe1−x layers which can be controlled by its Sn content and thickness. Also, it was found that the SBH of Al/SnxGe1−x/n-Ge(001) reduces with increasing the Sn content. Taking into account the energy band structure of SnxGe1−x, the reduction of SBH for n-Ge contact would be led by the shift of the Al metal Fermi level toward the conduction band edge. | |
| キーワード | （和） | SnxGe1−x / ゲルマニウム / ショットキー障壁高さ / フェルミレベルピニング / / / / |
| （英） | SnxGe1−x / germanium / Schottky barrier height / Fermi level pinning / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-49, pp. 57-61, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-49 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of electrical conduction property at metal/Ge interface by introducing ultra-high Sn content SnxGe1-x/Ge interlayer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SnxGe1−x / SnxGe1−x |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / germanium |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー障壁高さ / Schottky barrier height |
| キーワード(4)（和/英） | フェルミレベルピニング / Fermi level pinning |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 陽洋 / Akihiro Suzuki / スズキ アキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 14:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-49 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.57-61 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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