講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-07-24 13:15
N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 ○青木俊周(福井大)・谷川智之・片山竜二・松岡隆志(東北大)・塩島謙次(福井大) ED2015-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-36 |
抄録 |
(和) |
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧(I-V)、容量‐電圧(C-V)、光応答(PR)測定を用いて評価した。Ga極性試料より1 eV以上低い障壁高さ(qΦB)が得られた。界面近傍に局在するGa空孔によるキャリアの捕獲と放出過程によって引き起こされるメモリー効果は、I-V特性において観察されなかった。これは、高温過渡容量分光(H-ICTS)スペクトルにおいてピークが検出されなかったこととよく一致する。従って、N極性表面において、終端のN層がGa原子の外部拡散を抑制していると考えられる。 |
(英) |
Electrical characteristics of N-polar p-GaN Schottky contacts by using current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and photoresponse (PR) measurements have been investigated. The Schottky barrier heights (q$phi$B) obtained were by more than 1 eV lower than that of Ga-polar samples. In addition, the memory effect, which is caused by the carrier capture and emission processes from Ga vacancy defects located at the interface, was not observed in the I-V characteristics. It is consistent with the fact that no peak was detected in the high-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy (H-ICTS) spectra. These results suggest that the top N-layer can suppress the out-diffusion of Ga atoms on the N-polar surface. |
キーワード |
(和) |
N極性 / p-GaN / ショットキー接触 / / / / / |
(英) |
N-polar / p-GaN / Schottky contact / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-36, pp. 1-4, 2015年7月. |
資料番号 |
ED2015-36 |
発行日 |
2015-07-17 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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