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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-07-24 13:15 N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 ○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大）  ED2015-36 |
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| 抄録 | （和） | N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧（I-V）、容量‐電圧（C-V）、光応答（PR）測定を用いて評価した。Ga極性試料より1 eV以上低い障壁高さ（qΦB）が得られた。界面近傍に局在するGa空孔によるキャリアの捕獲と放出過程によって引き起こされるメモリー効果は、I-V特性において観察されなかった。これは、高温過渡容量分光（H-ICTS）スペクトルにおいてピークが検出されなかったこととよく一致する。従って、N極性表面において、終端のN層がGa原子の外部拡散を抑制していると考えられる。 |
| （英） | Electrical characteristics of N-polar p-GaN Schottky contacts by using current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and photoresponse (PR) measurements have been investigated. The Schottky barrier heights (q$phi$B) obtained were by more than 1 eV lower than that of Ga-polar samples. In addition, the memory effect, which is caused by the carrier capture and emission processes from Ga vacancy defects located at the interface, was not observed in the I-V characteristics. It is consistent with the fact that no peak was detected in the high-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy (H-ICTS) spectra. These results suggest that the top N-layer can suppress the out-diffusion of Ga atoms on the N-polar surface. | |
| キーワード | （和） | N極性 / p-GaN / ショットキー接触 / / / / / |
| （英） | N-polar / p-GaN / Schottky contact / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-36, pp. 1-4, 2015年7月. | |
| 資料番号 | ED2015-36 | |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-07-24 - 2015-07-25 |
| 開催地（和） | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
| 開催地（英） | IT Business Plaza Musashi 5F |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of N-polar p-type GaN Schottky contacts |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | N極性 / N-polar |
| キーワード(2)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 俊周 / Toshichika Aoki / アオキ トシチカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 智之 / Tomoyuki Tanikawa / タニカワ トモユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 竜二 / Ryuji Katayama / カタヤマ リュウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松岡 隆志 / Takashi Matsuoka / マツオカ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-07-24 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-36 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.156 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) |
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