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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-07-24 15:35 SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大）  ED2015-41 |
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| 抄録 | （和） | 基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善させたnチャネルMOSFETを作製し、その特性を調査した。ゲート電圧の挿引幅を変えながらId-Vgs特性のヒステリシスを評価することで、しきい値電圧変動に影響を及ぼす界面トラップの評価を行った。POCl3アニール試料に比べてNOアニール試料ではヒステリシス幅と大きく、トラップへの電子捕獲の影響が大きい。また、基板不純物濃度が高くなるにつれて、電界効果移動度の低下が見られた。 |
| （英） | We have investigated electrical properties of n-channel MOSFETs fabricated on Si-face 4H-SiC with various substrate impurity concentrations. Gate oxides of MOSFETs were annealed in NO or POCl3 ambient to improve interface properties after dry thermal oxidation. Hysteresis in Id-Vgs characteristics were measured under various sweep range conditions of gate voltage, and effects of interface traps on threshold voltage shift were investigated. It is found that the NO-annealed MOSFETs showed larger hysteresis in Id-Vgs curves than POCl3-annealed MOSFETs, indicating that the electron trapping is more severe in NO-annealed MOSFETs. Decrease in channel mobility was also observed with increasing substrate impurity concentrations. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOSFET / POCl3アニール / / / / / |
| （英） | 4H-SiC / MOSFET / POCl3 anneal / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-41, pp. 25-29, 2015年7月. | |
| 資料番号 | ED2015-41 | |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-07-24 - 2015-07-25 |
| 開催地（和） | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
| 開催地（英） | IT Business Plaza Musashi 5F |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of SiC MOSFETs with various substrate impurity concentrations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | POCl3アニール / POCl3 anneal |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学/筑波大学 (略称： 奈良先端大/筑波大) Nara Institute of Science and Technology/University of Tsukuba (略称： NAIST/Univ. Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 結城 広登 / Hiroto Yuki / ユウキ ヒロト |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-07-24 15:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-41 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.156 |
| ページ範囲 | pp.25-29 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) |
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