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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-07-24 13:40 n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価 ○永縄 萌・青木俊周（福井大）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）  ED2015-37 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-37, pp. 5-8, 2015年7月. | |
| 資料番号 | ED2015-37 | |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-07-24 - 2015-07-25 |
| 開催地（和） | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
| 開催地（英） | IT Business Plaza Musashi 5F |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Schottky diodes on cleaved m-plane surface of free-standing n-GaN substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永縄 萌 / Moe Naganawa / ナガナワ モエ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 俊周 / Toshichika Aoki / アオキ トシチカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-07-24 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-37 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.156 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) |
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