研究会情報 |
研究会 |
ED |
開催期間 |
2015-07-24 - 2015-07-25 |
開催地(和) |
ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
開催地(英) |
IT Business Plaza Musashi 5F |
テーマ(和) |
半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
テーマ(英) |
Semiconductor Processes and Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2015-07-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Characterization of Schottky diodes on cleaved m-plane surface of free-standing n-GaN substrates |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
永縄 萌 / Moe Naganawa / ナガナワ モエ |
第1著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
青木 俊周 / Toshichika Aoki / アオキ トシチカ |
第2著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
第3著者 所属(和/英) |
法政大学 (略称: 法政大)
Hosei University (略称: Hosei Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
第4著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 所属(和/英) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 所属(和/英) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-07-24 13:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2015-37 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.156 |
ページ範囲 |
pp.5-8 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2015-07-17 (ED) |