| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-07-25 10:40 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大）  ED2015-44 |
|
| 抄録 | （和） | 次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マルチゲート構造による優れたゲート制御性とMOVPE再成長による高濃度ソースによる高い電流駆動能力を持つデバイスを提案し動作に成功した。しかし、InAlAsを成長表面とした再成長層の結晶性が悪くオン電流が劣化した。本報告では基板構造とプロセスを変更することによりSI-InPを再成長表面とし、再成長層の結晶性を改善し、再成長層の平坦性とシリーズ抵抗を改善した。 |
| （英） | InGaAs MOSFETs are attractive candidate for future high-speed and low-power-consumption devices. To enhance the performance of that, we proposed and demonstrated a novel device structure contains the superior current controllability due to the multi-gate structure and the high current drivability due to the n+-InGaAs source surrounding the non-planar channel. However, bad crystallinity due to difficulty of regrowth on InAlAs was observed and caused degration of On current. In this report, change the device structure and fabrication process to change the regrown surface to SI-InP, and improvement in surface flatness and series resistance were reported. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / InGaAs / 高移動度チャネル / マルチゲートデバイス / MOVPE / / / |
| （英） | MOSFET / InGaAs / high mobility channel / multigate device / MOVPE / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-44, pp. 39-44, 2015年7月. | |
| 資料番号 | ED2015-44 | |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-44 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-07-24 - 2015-07-25 |
| 開催地（和） | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
| 開催地（英） | IT Business Plaza Musashi 5F |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFET’s with MOVPE regrown source/drain |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 高移動度チャネル / high mobility channel |
| キーワード(4)（和/英） | マルチゲートデバイス / multigate device |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 治紀 / Haruki Kinoshita / キノシタ ハルキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 祢津 誠晃 / Seiko Netsu / ネツ セイコウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三嶋 裕一 / Yuichi Mishima / ミシマ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金澤 徹 / Toru Kanazawa / カナザワ トオル |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-07-25 10:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-44 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.156 |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]