講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-08-25 09:30
[招待講演]低電力混載ReRAM技術 ○植木 誠・田辺 昭・砂村 潤・成廣 充・上嶋和也・増﨑幸治・古武直也・満生 彰・武田晃一・長谷 卓・林 喜宏(ルネサス エレクトロニクス) SDM2015-65 ICD2015-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-65 ICD2015-34 |
抄録 |
(和) |
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReRAMマクロを90nm CMOSプラットフォーム上で実現した.パルス変調OFF書込みによるOFF抵抗の安定化,及びOFF状態のノイズ(RTN等)を考慮したガードバンド設定の導入により,OFFワースト値を保証する手法を提案した.ON状態の保持特性に対してはRu電極界面制御の重要性を示し,1E3回書換え,85℃10年保持信頼性を実証した.従来Flashと比較して,書換えエネルギーが1/7~1/10となることを示した. |
(英) |
A low-power 2Mb ReRAM macro was developed in 90 nm CMOS platform, demonstrating lower power data-writing (x1/7-x1/10) and faster data-reading (x2-3) as compared to a conventional flash. The memory window at -6sigma for 10 years was confirmed with a high-speed 1-bit ECC considering operating temperature ranging from -40 to 85 degree C. A pulse-modulated Off-state verify and an interface-control of Ru electrode are effective for suppressing random fluctuation of Roff readout and for sustaining the On-state retention, respectively. |
キーワード |
(和) |
ReRAM / 混載ReRAM / 抵抗変化メモリー / 低電力 / ノイズ / RTN / / |
(英) |
ReRAM / embedded ReRAM / low-power / noise / Random telegraph noise (RTN) / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 191, ICD2015-34, pp. 41-46, 2015年8月. |
資料番号 |
ICD2015-34 |
発行日 |
2015-08-17 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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