お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-08-25 09:30
[招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-65 ICD2015-34
抄録 (和) 低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReRAMマクロを90nm CMOSプラットフォーム上で実現した.パルス変調OFF書込みによるOFF抵抗の安定化,及びOFF状態のノイズ(RTN等)を考慮したガードバンド設定の導入により,OFFワースト値を保証する手法を提案した.ON状態の保持特性に対してはRu電極界面制御の重要性を示し,1E3回書換え,85℃10年保持信頼性を実証した.従来Flashと比較して,書換えエネルギーが1/7~1/10となることを示した. 
(英) A low-power 2Mb ReRAM macro was developed in 90 nm CMOS platform, demonstrating lower power data-writing (x1/7-x1/10) and faster data-reading (x2-3) as compared to a conventional flash. The memory window at -6sigma for 10 years was confirmed with a high-speed 1-bit ECC considering operating temperature ranging from -40 to 85 degree C. A pulse-modulated Off-state verify and an interface-control of Ru electrode are effective for suppressing random fluctuation of Roff readout and for sustaining the On-state retention, respectively.
キーワード (和) ReRAM / 混載ReRAM / 抵抗変化メモリー / 低電力 / ノイズ / RTN / /  
(英) ReRAM / embedded ReRAM / low-power / noise / Random telegraph noise (RTN) / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 191, ICD2015-34, pp. 41-46, 2015年8月.
資料番号 ICD2015-34 
発行日 2015-08-17 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2015-65 ICD2015-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-65 ICD2015-34

研究会情報
研究会 SDM ICD  
開催期間 2015-08-24 - 2015-08-25 
開催地(和) 熊本市 
開催地(英) Kumamoto City 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2015-08-SDM-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低電力混載ReRAM技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-Power Embedded ReRAM Technology for IoT Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) 混載ReRAM / embedded ReRAM  
キーワード(3)(和/英) 抵抗変化メモリー / low-power  
キーワード(4)(和/英) 低電力 / noise  
キーワード(5)(和/英) ノイズ / Random telegraph noise (RTN)  
キーワード(6)(和/英) RTN /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 植木 誠 / Makoto Ueki / ウエキ マコト
第1著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田辺 昭 / Akira Tanabe / タナベ アキラ
第2著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 砂村 潤 / Hiroshi Sunamura / スナムラ ヒロシ
第3著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 成廣 充 / Mitsuru Narihiro / ナリヒロ ミツル
第4著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 上嶋 和也 / Kazuya Uejima / ウエジマ カズヤ
第5著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 増﨑 幸治 / Koji Masuzaki / マスザキ コウジ
第6著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 古武 直也 / Naoya Furutake / フルタケ ナオヤ
第7著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 満生 彰 / Akira Mitsuiki / ミツイキ アキラ
第8著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 武田 晃一 / Koichi Takeda / タケダ コウイチ
第9著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 長谷 卓 / Takashi Hase / ハセ タカシ
第10著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi / ハヤシ ヨシヒロ
第11著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics (略称: Renesas Electronics)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2015-08-25 09:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2015-65, ICD2015-34 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.190(SDM), no.191(ICD) 
ページ範囲 pp.41-46 
ページ数
発行日 2015-08-17 (SDM, ICD) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会