講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-08-25 11:45
線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき ○水谷朋子・棚橋裕麻・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2015-68 ICD2015-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-68 ICD2015-37 |
抄録 |
(和) |
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(英) |
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キーワード |
(和) |
ナノワイヤトランジスタ / ばらつき / 量子閉じ込め効果 / / / / / |
(英) |
Nanowire MOSFET / Variability / Quantum Confinement / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 190, SDM2015-68, pp. 59-62, 2015年8月. |
資料番号 |
SDM2015-68 |
発行日 |
2015-08-17 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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