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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-28 09:35 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価 ○進藤隆彦・小林 亘・小木曽義弘・藤原直樹・伊賀龍三・大礒義孝・石井啓之（NTT）  R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45 |
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| 抄録 | （和） | 将来のbeyond 100 GbEに向けた低消費電力・大容量光源として、1.3 μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有望視されている。本研究では、リッジ構造と埋め込みヘテロ（BH）構造の内部温度分布のシミュレーションと試作した素子特性の比較から電流注入時の内部温度上昇を評価し、共振器長200 μmのBHレーザにおいて、60 mA注入時にリッジレーザに対して約5°Cの温度上昇抑制を確認した。また、試作素子の発振特性評価からBH構造の導入による電流削減量を評価し、共振器長200 μmの素子において55°C、15 mW光出力時の駆動電流削減量約11 mAを確認した。BH構造による電流削減の主要因としては電流狭窄効果と放熱効果が挙げられ、そのうちの放熱効果による寄与が約20％を占めることを明らかにした。 |
| （英） | The 1.3 μm wavelength InGaAlAs directly modulated semiconductor laser is a promising candidate as a high-speed semiconductor light source with a low power consumption for future transmission systems beyond 100 Gbit Ethernet. In this study, the internal temperature increase induced by the injected current of a ridge laser and a buried heterostructure (BH) laser were estimated by simulating the heat distribution in the cavity and evaluating the fabricated devices. As a result, the temperature increase with the BH laser was about 5°C less than with the ridge laser. Next, the reduction in the driving current was also evaluated by comparing the fabricated ridge laser and a BH laser. The driving current of the BH laser for an optical output of 15 mW was about 11 mA less than with the ridge laser. The main reasons for the current reduction are thought to be the strong current confinement and the high heat dissipation of the BH structure. In addition, it is also revealed that the current reduction realized thanks to the heat dissipation effect of the BH laser represents about 20% of the total reduced driving current. | |
| キーワード | （和） | 直接変調レーザ / InGaAlAs / 埋め込みヘテロ構造 / / / / / |
| （英） | Directly modulated laser / InGaAlAs / Buried heterosturucture / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 198, LQE2015-45, pp. 73-76, 2015年8月. | |
| 資料番号 | LQE2015-45 | |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM OPE LQE R EMD |
| 開催期間 | 2015-08-27 - 2015-08-28 |
| 開催地（和） | 青森県観光物産館アスパム |
| 開催地（英） | Aomori-Bussankan-Asupamu |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2015-08-CPM-OPE-LQE-R-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of heat dissipation and evaluation of current reduction of 1.3 μm wavelength InGaAlAs BH laser |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 直接変調レーザ / Directly modulated laser |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAlAs / InGaAlAs |
| キーワード(3)（和/英） | 埋め込みヘテロ構造 / Buried heterosturucture |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 進藤 隆彦 / Takahiko Shindo / シンドウ タカヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 亘 / Wataru Kobayashi / コバヤシ ワタル |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小木曽 義弘 / Yoshihiro Ogiso / オギソ ヨシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara / フジワラ ナオキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊賀 龍三 / Ryuzo Iga / イガ リュウゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大礒 義孝 / Yoshitaka Ohiso / オオイソ ヨシタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 啓之 / Hiroyuki Ishii / イシイ ヒロユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-28 09:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2015-37, EMD2015-45, CPM2015-61, OPE2015-76, LQE2015-45 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.194(R), no.195(EMD), no.196(CPM), no.197(OPE), no.198(LQE) |
| ページ範囲 | pp.73-76 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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