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講演抄録/キーワード
講演名 2015-08-28 14:50
1.1μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発
吉沢勝美沢渡義規パイオニアマイクロテクノロジー)・赤羽浩一山本直克NICTR2015-46 EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54
抄録 (和) 光情報通信応用を目的とした新波長帯としてT-Band(1000-1260nm)とO-Band(1260-1360nm)に注目し,この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している.分子線エピタキシー装置を用い,n型GaAs基板上にクラッド層としてAlGaAs層,活性層構造としてGaAs/InAs QDsを12層積層形成した.反応性イオンエッチングによるリッジ構造を形成し,BCB平坦化プロセスによるリッジ導波路型LDを作製した.作製したLDにおいて,1.1μm帯において,劈開面を共振器ミラーとした単一共振器では,帯域幅60nmの広帯域性を示した.また,端面をARコート後のASE特性より,外部共振器での帯域としては,90nm以上が期待できる特性であった。今新波長帯1.1μm帯で動作する高機能ゲインデバイスの開発に成功した. 
(英) To develop a new optical frequency resource for the optical communications, we focused on T-Band (1000-1260nm) and the O-Band (1260-1360nm). We are promoting the research and development of optical gain devices operating in this band. The AlGaAs cladding layers and the active layer consisting of 12 layers of InAs QDs were grown by molecular beam epitaxy. A ridge waveguide structure was formed by reactive ion etching and BCB planarization process. In 1.1μm band, fabricated LD showed the wide bandwidth of 60nm with the structure of the cleaved facet mirrors. In addition, after AR coat on the cleavage plane, ASE showed wider bandwidth that can be expected about 90nm lasing bandwidth in the external cavity. We successfully developed a high-performance gain device that operates at the new 1.1μm band.
キーワード (和) InAs量子ドット / 量子ドットレーザー / ゲインデバイス / / / / /  
(英) InAs Quantum Dot / Quantum Dot Laser / Gain Device / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 198, LQE2015-54, pp. 115-118, 2015年8月.
資料番号 LQE2015-54 
発行日 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2015-46 EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54

研究会情報
研究会 CPM OPE LQE R EMD  
開催期間 2015-08-27 - 2015-08-28 
開催地(和) 青森県観光物産館アスパム 
開催地(英) Aomori-Bussankan-Asupamu 
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2015-08-CPM-OPE-LQE-R-EMD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1.1μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of broadband QD ridge-waveguide laser diode in 1.1μm 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InAs量子ドット / InAs Quantum Dot  
キーワード(2)(和/英) 量子ドットレーザー / Quantum Dot Laser  
キーワード(3)(和/英) ゲインデバイス / Gain Device  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉沢 勝美 / Katsumi Yoshizawa / ヨシザワ カツミ
第1著者 所属(和/英) パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 (略称: パイオニアマイクロテクノロジー)
Pioneer Micro Technology Corporation (略称: PioneerMTC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 沢渡 義規 / Yoshinori Sawado / サワド ヨシノリ
第2著者 所属(和/英) パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 (略称: パイオニアマイクロテクノロジー)
Pioneer Micro Technology Corporation (略称: PioneerMTC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第4著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-08-28 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 R2015-46, EMD2015-54, CPM2015-70, OPE2015-85, LQE2015-54 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.194(R), no.195(EMD), no.196(CPM), no.197(OPE), no.198(LQE) 
ページ範囲 pp.115-118 
ページ数
発行日 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 


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