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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-23 11:50 ナノ突起構造体の高さおよび原子配列の電界電離Heイオン電流に及ぼす影響 ○永井滋一・加藤 習・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大）  ED2015-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-67 |
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| 抄録 | （和） | 電界電離型ガスイオン源（GFIS）は高輝度イオン源であるが，放射角電流密度dI/dΩが小さいので，イオンビーム開き角を制限し，かつ放出電流を可能な限り増強させる必要がある．本研究では，改良した電界誘起酸素エッチング法によって作製されたナノ突起構造体をもつGFISエミッタにおいて，先端の３量体から放出されるHeイオン電流の増強を目的に，ナノ突起構造体の高さ，および原子配列の電界電離イオン電流に及ぼす影響について検討した．その結果，エミッタベース部でのガス原子捕獲領域の増大と各エミッションサイトへの分配が最適化されるナノ突起構造体の高さで，最大放出電流が得られることを見出した． |
| （英） | Gas field ion sources(GFIS) with high brightness property have serious problem on a low angular current density, so that a field ion current and its beam spread have to be improved. To confine half angle of beam spread of GFIS emitter, we fabricated a nano-protrusion on large base emitter by field-induced oxygen etching method. For higher He field ion current, we investigated influences of heights and atomic arrangements of nano-protrusion on field He ion current for an improvement of emission property. | |
| キーワード | （和） | 電界電離ガスイオン源 / 電界誘起酸素エッチング / 電界イオン顕微鏡法 / タングステン / / / / |
| （英） | Gas field ion emitter / Field-induced oxygen etching / Field ion microscopy / Tungsten / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 264, ED2015-67, pp. 65-68, 2015年10月. | |
| 資料番号 | ED2015-67 | |
| 発行日 | 2015-10-15 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-10-22 - 2015-10-23 |
| 開催地（和） | 名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノ突起構造体の高さおよび原子配列の電界電離Heイオン電流に及ぼす影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of height and atomic arrangement of nano-protrusion of gas field ion emitter on He-ion current |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界電離ガスイオン源 / Gas field ion emitter |
| キーワード(2)（和/英） | 電界誘起酸素エッチング / Field-induced oxygen etching |
| キーワード(3)（和/英） | 電界イオン顕微鏡法 / Field ion microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | タングステン / Tungsten |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 滋一 / Shigekazu Nagai / ナガイ シゲカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 習 / Shu Katoh / カトウ シュウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 達夫 / Tatsuo Iwata / イワタ タツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶原 和夫 / Kazuo Kajiwara / カジワラ カズオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑 浩一 / Koichi Hata / ハタ コウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-23 11:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-67 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.264 |
| ページ範囲 | pp.65-68 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-10-15 (ED) |
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