講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-10-23 15:00
ヘリウム3イオン照射による低損失60GHz帯CMOSオンチップダイポールアンテナの設計 ○平野拓一・李 寧・岡田健一・松澤 昭・広川二郎・安藤 真(東工大)・井上 剛・坂根 仁(住重試験検査) EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2015-118 EST2015-89 |
抄録 |
(和) |
60GHz帯ミリ波CMOSオンチップアンテナはシリコン(Si)基板による損失が大きいという欠点がある。Si基板にヘリウムイオンを照射することで、抵抗率を上げ(導電率を下げ)て損失を低減することが可能である。本稿では、抵抗率10 Ohm cm(導電率10S/m)のSi基板の500um×1000umの領域を抵抗率10k Ohm cm(導電率0.01S/m)と損失を低減させ、高効率なオンチップダイポールアンテナを設計した。ダイポール素子の幅は損失低減と広帯域化のために太い。また整合を取るためにテーパー部とスタブが設けられている。背面放射を抑制するためにチップの裏面は金属で裏打ちしている。電磁界シミュレーションの結果、62GHzでの反射は-15dB、放射効率は48%、チップ正面方向の利得は2.7dBiとなった。 |
(英) |
60 GHz CMOS on-chip antenna is low radiation efficiency due to large loss of silicon (Si) substrate. In this paper, a 60 GHz CMOS on-chip dipole antenna with helium-3 ion irradiated silicon substrate is designed. Rectangular region with 500 um x 1000 um around the dipole is irradiated by helium-3 ion and resistivity is increased from 10 Ohm cm (10 S/m) to 10 k Ohm cm (0.01 S/m). The width of dipole section is wide for broad bandwidth and reduction of conductor loss. There are a taper section and stub for impedance matching. A backing metal reduces back radiation. At 62 GHz, the calculated reflection, radiation efficiency and gain are -15 dB, 48 % and 2.7 dBi, respectively. |
キーワード |
(和) |
ミリ波 / オンチップアンテナ / ダイポールアンテナ / CMOS / ヘリウムイオン照射 / 放射効率 / / |
(英) |
Millimeter-wave / On-chip antenna / Dipole antenna / CMOS / Helium ion irradiation / Radiation efficiency / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 261, EST2015-89, pp. 123-127, 2015年10月. |
資料番号 |
EST2015-89 |
発行日 |
2015-10-15 (EMCJ, MW, EST) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2015-118 EST2015-89 |
研究会情報 |
研究会 |
EMCJ IEE-EMC MW EST |
開催期間 |
2015-10-22 - 2015-10-23 |
開催地(和) |
東北大学 片平キャンパス さくらホール |
開催地(英) |
Sakura Hall, Katahira Campus, Tohoku Univ. |
テーマ(和) |
マイクロ波,電磁界シミュレーション,EMC一般 |
テーマ(英) |
Microwave, Electromagnetic simulation, EMC, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
EST |
会議コード |
2015-10-EMCJ-EMC-MW-EST |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ヘリウム3イオン照射による低損失60GHz帯CMOSオンチップダイポールアンテナの設計 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Design of Low Loss 60 GHz CMOS On-Chip Dipole Antenna By Helium-3 Ion Irradiation |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
ミリ波 / Millimeter-wave |
キーワード(2)(和/英) |
オンチップアンテナ / On-chip antenna |
キーワード(3)(和/英) |
ダイポールアンテナ / Dipole antenna |
キーワード(4)(和/英) |
CMOS / CMOS |
キーワード(5)(和/英) |
ヘリウムイオン照射 / Helium ion irradiation |
キーワード(6)(和/英) |
放射効率 / Radiation efficiency |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ |
第1著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
李 寧 / Ning Li / リ ニン |
第2著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岡田 健一 / Kenichi Okada / オカダ ケンイチ |
第3著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松澤 昭 / Akira Matsuzawa / マツザワ アキラ |
第4著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ |
第5著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト |
第6著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
井上 剛 / Tsuyoshi Inoue / イノウエ ツヨシ |
第7著者 所属(和/英) |
住重試験検査株式会社 (略称: 住重試験検査)
S.H.I. Examination and Inspection, Ltd. (略称: SHIEI) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
坂根 仁 / Hitoshi Sakane / サカネ ヒトシ |
第8著者 所属(和/英) |
住重試験検査株式会社 (略称: 住重試験検査)
S.H.I. Examination and Inspection, Ltd. (略称: SHIEI) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 所属(和/英) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-10-23 15:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
EST |
資料番号 |
EMCJ2015-79, MW2015-118, EST2015-89 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.259(EMCJ), no.260(MW), no.261(EST) |
ページ範囲 |
pp.123-127 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2015-10-15 (EMCJ, MW, EST) |