お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-10-23 15:00
ヘリウム3イオン照射による低損失60GHz帯CMOSオンチップダイポールアンテナの設計
平野拓一李 寧岡田健一松澤 昭広川二郎安藤 真東工大)・井上 剛坂根 仁住重試験検査EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2015-118 EST2015-89
抄録 (和) 60GHz帯ミリ波CMOSオンチップアンテナはシリコン(Si)基板による損失が大きいという欠点がある。Si基板にヘリウムイオンを照射することで、抵抗率を上げ(導電率を下げ)て損失を低減することが可能である。本稿では、抵抗率10 Ohm cm(導電率10S/m)のSi基板の500um×1000umの領域を抵抗率10k Ohm cm(導電率0.01S/m)と損失を低減させ、高効率なオンチップダイポールアンテナを設計した。ダイポール素子の幅は損失低減と広帯域化のために太い。また整合を取るためにテーパー部とスタブが設けられている。背面放射を抑制するためにチップの裏面は金属で裏打ちしている。電磁界シミュレーションの結果、62GHzでの反射は-15dB、放射効率は48%、チップ正面方向の利得は2.7dBiとなった。 
(英) 60 GHz CMOS on-chip antenna is low radiation efficiency due to large loss of silicon (Si) substrate. In this paper, a 60 GHz CMOS on-chip dipole antenna with helium-3 ion irradiated silicon substrate is designed. Rectangular region with 500 um x 1000 um around the dipole is irradiated by helium-3 ion and resistivity is increased from 10 Ohm cm (10 S/m) to 10 k Ohm cm (0.01 S/m). The width of dipole section is wide for broad bandwidth and reduction of conductor loss. There are a taper section and stub for impedance matching. A backing metal reduces back radiation. At 62 GHz, the calculated reflection, radiation efficiency and gain are -15 dB, 48 % and 2.7 dBi, respectively.
キーワード (和) ミリ波 / オンチップアンテナ / ダイポールアンテナ / CMOS / ヘリウムイオン照射 / 放射効率 / /  
(英) Millimeter-wave / On-chip antenna / Dipole antenna / CMOS / Helium ion irradiation / Radiation efficiency / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 261, EST2015-89, pp. 123-127, 2015年10月.
資料番号 EST2015-89 
発行日 2015-10-15 (EMCJ, MW, EST) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2015-118 EST2015-89

研究会情報
研究会 EMCJ IEE-EMC MW EST  
開催期間 2015-10-22 - 2015-10-23 
開催地(和) 東北大学 片平キャンパス さくらホール 
開催地(英) Sakura Hall, Katahira Campus, Tohoku Univ. 
テーマ(和) マイクロ波,電磁界シミュレーション,EMC一般 
テーマ(英) Microwave, Electromagnetic simulation, EMC, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EST 
会議コード 2015-10-EMCJ-EMC-MW-EST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ヘリウム3イオン照射による低損失60GHz帯CMOSオンチップダイポールアンテナの設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of Low Loss 60 GHz CMOS On-Chip Dipole Antenna By Helium-3 Ion Irradiation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ミリ波 / Millimeter-wave  
キーワード(2)(和/英) オンチップアンテナ / On-chip antenna  
キーワード(3)(和/英) ダイポールアンテナ / Dipole antenna  
キーワード(4)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(5)(和/英) ヘリウムイオン照射 / Helium ion irradiation  
キーワード(6)(和/英) 放射効率 / Radiation efficiency  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 寧 / Ning Li / リ ニン
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 健一 / Kenichi Okada / オカダ ケンイチ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松澤 昭 / Akira Matsuzawa / マツザワ アキラ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 剛 / Tsuyoshi Inoue / イノウエ ツヨシ
第7著者 所属(和/英) 住重試験検査株式会社 (略称: 住重試験検査)
S.H.I. Examination and Inspection, Ltd. (略称: SHIEI)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂根 仁 / Hitoshi Sakane / サカネ ヒトシ
第8著者 所属(和/英) 住重試験検査株式会社 (略称: 住重試験検査)
S.H.I. Examination and Inspection, Ltd. (略称: SHIEI)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2015-10-23 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EST 
資料番号 EMCJ2015-79, MW2015-118, EST2015-89 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.259(EMCJ), no.260(MW), no.261(EST) 
ページ範囲 pp.123-127 
ページ数
発行日 2015-10-15 (EMCJ, MW, EST) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会