講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-10-23 15:50
混合溶媒による塗布型有機トランジスタの高移動度化および低閾値電圧化 ○中道諒介・永瀬 隆・小林隆史(阪府大)・貞光雄一(日本化薬)・内藤裕義(阪府大) OME2015-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2015-58 |
抄録 |
(和) |
有機電界効果トランジスタ(OFET)の電気的特性(移動度、閾値電圧)の制御はOFETの実用化に向け重要である。OFETの特徴の一つに溶液プロセスによって半導体層を成膜できることがあり、成膜した半導体層の構造によって特性が大きく変化する。本研究では、半導体材料の溶媒にトルエンとp-キシレンの混合溶媒を用い、その混合比率を変化させることでOFETの特性を制御、向上させ、塗布型多結晶OFETとしては高い移動度(9.7 $rm{cm^2}$$rm{V^{-1}}$$rm{s^{-1}}$)と理想的な閾値電圧(-0.18 V)を有するデバイスを作製することに成功した。 |
(英) |
It is important to develop methods of controlling electrical characteristics of organic field-effect transistor (OFET). An advantage of OFET is solution-processability of semiconductor films. Characteristics of OFETs fabricated by using the solution-process are affected by the structures of coated films. In this work, mixed solvents of toluene and p-xylene as solvents of organic semiconductor materials were used. The electrical characteristics of OFETs fabricated by using the mixed solvents could be controlled by changing the ratio of the mixed solvents, and the fabrication of high-performance OFETs having high mobility (9.7 $rm{cm^2}$$rm{V^{-1}}$$rm{s^{-1}}$) and threshold voltage (-0.18 V) was demonstrated. |
キーワード |
(和) |
有機電界効果トランジスタ / OFET / C8-BTBT / C12-BTBT / トップゲート / / / |
(英) |
Organic field-effect transistor / OFET / C8-BTBT / C12-BTBT / Top-gate / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 265, OME2015-58, pp. 43-46, 2015年10月. |
資料番号 |
OME2015-58 |
発行日 |
2015-10-16 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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