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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-23 10:35 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作 ～ 鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作 ～ ○胡谷大志（国際基督教大）・増澤智昭（静岡大）・山田貴壽（産総研）・落合 潤・斎藤市太郎・岡野 健（国際基督教大）  ED2015-64 |
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| 抄録 | （和） | ダイヤモンドは，その化学的安定性や高い熱伝導率，また負の電子親和力を持つ事から，電子源材料としての活用が期待されている．特に，窒素を高濃度に添加したダイヤモンドは高い抵抗率を示し，非常に低い駆動電圧での電子放出が報告されている．フォトリソグラフィを用いて平坦な底面を持つシリコン鋳型基板を作製し，熱フィラメントCVD法を用いて高濃度窒素添加ダイヤモンドの多結晶膜を鋳型基板上に成膜した．その後，ウェットエッチングにより窒素添加ダイヤモンドの先端が露出するまで鋳型基板を除去した．これにより，鋳型基板を制御電極として転用出来る，平坦な放出部を持つ電子源構造を得る事が出来た． |
| （英） | Diamond is a suitable candidate for an electron emitter because it has characteristics such as negative electron affinity (NEA), chemical stability and high thermal conductivity. In particular, heavily nitrogen (N)-doped diamond shows ultra-high resistivity. Ultra-low threshold emission was reported from such diamond. The Si substrate for the mold growth that has reverse-pyramidal pits with flat-bottom was obtained by photolithography and anisotropic etching. A N-doped diamond polycrystalline film was deposited on the mold substrate using the CVD method. The Si layer of the mold substrate was removed by wet-etching until the tip of the diamond was exposed. Finally the emitter structure that has an integrated gate and flat surface was obtained. | |
| キーワード | （和） | 電界電子放出 / 負の電子親和力 / 窒素添加ダイヤモンド / 鋳型成長 / 化学気相成長 / / / |
| （英） | field emitter / negative electron affinity / nitrogen doped diamond / mold growth / chemical vapor deposition / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 264, ED2015-64, pp. 53-56, 2015年10月. | |
| 資料番号 | ED2015-64 | |
| 発行日 | 2015-10-15 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-10-22 - 2015-10-23 |
| 開催地（和） | 名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作 |
| サブタイトル（和） | 鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作 |
| タイトル（英） | Prototyping of electron emitters using heavily N-doped diamond |
| サブタイトル（英） | Fabrication of built-in electrode and flat surface structured emitter with mold growth technique |
| キーワード(1)（和/英） | 電界電子放出 / field emitter |
| キーワード(2)（和/英） | 負の電子親和力 / negative electron affinity |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素添加ダイヤモンド / nitrogen doped diamond |
| キーワード(4)（和/英） | 鋳型成長 / mold growth |
| キーワード(5)（和/英） | 化学気相成長 / chemical vapor deposition |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 胡谷 大志 / Taishi Ebisudani / エビスダニ タイシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国際基督教大学 (略称： 国際基督教大) International Christian University (略称： ICU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増澤 智昭 / Tomoaki Masuzawa / マスザワ トモアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 貴壽 / Takatoshi Yamada / ヤマダ タカトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 落合 潤 / Jun Ochiai / オチアイ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 国際基督教大学 (略称： 国際基督教大) International Christian University (略称： ICU) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斎藤 市太郎 / Ichitaro Saito / サイトウ イチタロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 国際基督教大学 (略称： 国際基督教大) International Christian University (略称： ICU) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡野 健 / Ken Okano / オカノ ケン |
| 第6著者 所属（和/英） | 国際基督教大学 (略称： 国際基督教大) International Christian University (略称： ICU) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-23 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-64 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.264 |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-10-15 (ED) |
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