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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-29 16:30 ［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA ○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・安田心一（東芝）  SDM2015-75 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-75 |
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| 抄録 | （和） | 従来のFPGAではメモリとしてSRAMが用いられてきたが，これを不揮発メモリであるフラッシュメモリで置き換えることにより，低消費電力性に優れ，なおかつ高速なFPGAを実現することができる．本稿では，その鍵となる技術として，フラッシュメモリとCMOSトランジスタとを近接した位置に混載する製造技術と，低耐圧なCMOSトランジスタの特性を劣化させないフラッシュメモリの書き込み技術を紹介し，実際に作製したプログラマブルスイッチについて報告する．この技術を用いることで，高性能なCMOSトランジスタとフラッシュメモリとが細粒度に混載された，新しいタイプの不揮発FPGAが実現できる．この不揮発FPGAは，従来のFPGAに対してコンフィグレーションメモリの面積を半分に削減でき，また従来の高速製品と同等の動作速度を有する．さらに部分的な電源遮断技術(パワーゲーティング)を用いた大規模な消費電力削減が可能であるという特長がある． |
| （英） | Novel nonvolatile programmable switch for low-power and high-speed FPGA where flash memory is adjacently integrated to CMOS logic is demonstrated. The flash memory and high-speed switching transistor are fabricated close to each other without deteriorating their respective performance. Furthermore, programming schemes to write and erase the flash memory are optimized so that the memory is successfully programmed without any damage to the switching transistors. Flash-based configuration memory in the nonvolatile programmable switch has only half the area of the conventional SRAM-based one, and it can be placed in each block in FPGA, enabling efficient power gating that offers low-power FPGA operation. | |
| キーワード | （和） | FPGA / MONOSフラッシュメモリ / SONOSフラッシュメモリ / 低消費電力 / 不揮発メモリ / / / |
| （英） | FPGA / MONOS flash memory / SONOS flash memory / Low power / Nonvolatile memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-75, pp. 23-28, 2015年10月. | |
| 資料番号 | SDM2015-75 | |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-75 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-75 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-10-29 - 2015-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-power and high-speed FPGA by adjacent integration of flash memory and CMOS logic |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FPGA / FPGA |
| キーワード(2)（和/英） | MONOSフラッシュメモリ / MONOS flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | SONOSフラッシュメモリ / SONOS flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| キーワード(5)（和/英） | 不揮発メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財津 光一郎 / Koichiro Zaitsu / ザイツ コウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporatiobn (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporatiobn (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 麻里 / Mari Matsumoto / マツモト マリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporatiobn (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田 聖翔 / Masato Oda / オダ マサト |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporatiobn (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 心一 / Shinichi Yasuda / ヤスダ シンイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporatiobn (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-29 16:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-75 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
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